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MTY100N10E


SI N-MOSFET Transistor
GFX
UDS 100V
IDS DC/AC 100A / 300A
UGS ±20V
RDS(ON) <11mΩ/50A
Ptot 300W
TON/TOFF 1.076/1.14µS
der MTY100N10E ist ein Silizium N-MOSFET Transistor, Uds = 100V, Ids = 100A, Anwend: VFET
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu MTY100N10E
OEM:Motorola Sem... [mehr]
Motorola Semiconductor Products Inc.
Gehäuse:TOP-3L
MTY100N10E Datenblatt (jpg):-
MTY100N10E Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
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Bauteilsuche:Suche

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GFX
UDS 100V
IDS DC/AC 100A / 300A
UGS ±20V
RDS(ON) <11mΩ/50A
Ptot 300W
TON/TOFF 1.076/1.14µS
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Ptot 300W
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