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2N7336


SI N/P-MOSFET Transistor
GFX
UDS 100V
IDS 1--0.75A
UGS ±20V
RDS(ON) 0.7-1.4Ω
Ptot 1.4W
fT -
der 2N7336 ist ein Silizium N/P-MOSFET Transistor, Uds = 100V, Anwend: 1/2xVFET IRFG110, 1/2xIRFG9110
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Quelle: datasheet
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International Rectifier Corp. USA
Gehäuse: DIL-14
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UDS 100V
IDS 1--0.75A
UGS ±20V
RDS(ON) 0.7-1.4Ω
Ptot 1.4W
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der 2N7336 ist ein Silizium N/P-MOSFET Transistor, Uds = 100V, Anwend: 1/2xVFET IRFG110, 1/2xIRFG9110
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IDS 1--0.75A
UGS ±20V
RDS(ON) 0.7-1.4Ω
Ptot 1.4W
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der 2N7336 ist ein Silizium N/P-MOSFET Transistor, Uds = 100V, Anwend: 1/2xVFET IRFG110, 1/2xIRFG9110
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IRFG9110


SI P-MOSFET Transistor
GFX
UDS -100V
IDS DC/AC -0.75A / -3A
UGS ±20V
RDS(ON) <1.4Ω/500mA
Ptot 1.4W
TON+rise|TOFF+fall 30+60|40+40nS
der IRFG9110 ist ein Silizium P-MOSFET Transistor, Uds = 100V, Ids = 750mA, Anwend: Schalttransistor
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RDS(ON) <1.4Ω/500mA
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GFX
UDS -100V
IDS DC/AC -0.75A / -3A
UGS ±20V
RDS(ON) <1.4Ω/500mA
Ptot 1.4W
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SI N-MOSFET Transistor
GFX
UDS 100V
IDS DC/AC 1A / 4A
UGS ±20V
RDS(ON) <0.7Ω/600mA
Ptot 1.4W
TON+rise|TOFF+fall 20+25|40+40nS
der IRFG110 ist ein Silizium N-MOSFET Transistor, Uds = 100V, Ids = 1A, Anwend: Schalttransistor
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IDS DC/AC 1A / 4A
UGS ±20V
RDS(ON) <0.7Ω/600mA
Ptot 1.4W
TON+rise|TOFF+fall 20+25|40+40nS
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SI N-MOSFET Transistor
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UDS 100V
IDS DC/AC 1A / 4A
UGS ±20V
RDS(ON) <0.7Ω/600mA
Ptot 1.4W
TON+rise|TOFF+fall 20+25|40+40nS
der IRFG110 ist ein Silizium N-MOSFET Transistor, Uds = 100V, Ids = 1A, Anwend: Schalttransistor
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