R
X
G
Seite:

2N7261


SI N-MOSFET Transistor
GFX
UDS 100V
IDS DC/AC 8A / 32A
UGS ±20V
RDS(ON) 0.18Ω/5A
Ptot 25W
TON+rise|TOFF+fall 25+55|55+45nS
der 2N7261 ist ein Silizium N-MOSFET Transistor, Uds = 100V, Ids = 8A, Anwend: Strahlungsgeschützt, schneller Schalttransistor
Photo: -
Quelle: datasheet
Erweiterte Informationen zu 2N7261
OEM:Internationa... [mehr]
International Rectifier Corp. USA
Gehäuse: TO-205AF
2N7261 Datenblatt (jpg):-
2N7261 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

2N7261


SI N-MOSFET Transistor
GFX
UDS 100V
IDS DC/AC 8A / 32A
UGS ±20V
RDS(ON) 0.18Ω/5A
Ptot 25W
TON+rise|TOFF+fall 25+55|55+45nS
der 2N7261 ist ein Silizium N-MOSFET Transistor, Uds = 100V, Ids = 8A, Anwend: Strahlungsgeschützt, schneller Schalttransistor
Photo: -
Quelle: datasheet
Erweiterte Informationen zu 2N7261
OEM:Internationa... [mehr]
International Rectifier Corp. USA
Gehäuse: TO-205AF
2N7261 Datenblatt (jpg):-
2N7261 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

2N7261


SI N-MOSFET Transistor
GFX
UDS 100V
IDS DC/AC 8A / 32A
UGS ±20V
RDS(ON) 0.18Ω/5A
Ptot 25W
TON+rise|TOFF+fall 25+55|55+45nS
der 2N7261 ist ein Silizium N-MOSFET Transistor, Uds = 100V, Ids = 8A, Anwend: Strahlungsgeschützt, schneller Schalttransistor
Photo: -
Quelle: datasheet
Erweiterte Informationen zu 2N7261
OEM:Internationa... [mehr]
International Rectifier Corp. USA
Gehäuse: TO-205AF
2N7261 Datenblatt (jpg):-
2N7261 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche