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2N6798


SI N-MOSFET Transistor
GFX
UDS 200V
IDS DC/AC 5.5A / 22A
UGS ±20V
RDS(ON) 0.25Ω/3.5A
Ptot 25W
TON+rise|TOFF+fall 30+50|50+40nS
der 2N6798 ist ein Silizium N-MOSFET Transistor, Uds = 200V, Ids = 5.5A, Anwend: Leistungs- Schalttransistor, Drain ist mit dem Gehäuse verbunden
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Quelle: Harris Databook Power MOS...... [mehr]
Harris Databook Power MOSFETs 1994
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Harris Semiconductors
Gehäuse:TO-205AF
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