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RZ1214B65Y


SI NPN Transistor
GFX
UCE/UCB 60/65V
IC 6A
hFE -
Ptot 225W
fT 1.4GHz
TJ 200°C
der RZ1214B65Y ist ein Silizium NPN Transistor, Uce = 60V, Ic = 6A, Anwend: Class C Breitband Leistungsverstärker in Basisschaltung für Impulsleistung im L- Band 1.2 bis 1.4GHz, Mikrowe... [mehr]
der RZ1214B65Y ist ein Silizium NPN Transistor, Uce = 60V, Ic = 6A, Anwend: Class C Breitband Leistungsverstärker in Basisschaltung für Impulsleistung im L- Band 1.2 bis 1.4GHz, Mikrowellen Leistungstransistor
Photo: -
Quelle: PSC Philips Data Handbook...... [mehr]
PSC Philips Data Handbook SC15
Erweiterte Informationen zu RZ1214B65Y
OEM:Philips Semi... [mehr]
Philips Semiconductors
Gehäuse:SOT443A
RZ1214B65Y Datenblatt (jpg):-
RZ1214B65Y Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

RZ1214B65Y


SI NPN Transistor
GFX
UCE/UCB 60/65V
IC 6A
hFE -
Ptot 225W
fT 1.4GHz
TJ 200°C
der RZ1214B65Y ist ein Silizium NPN Transistor, Uce = 60V, Ic = 6A, Anwend: Class C Breitband Leistungsverstärker in Basisschaltung für Impulsleistung im L- Band 1.2 bis 1.4GHz, Mikrowe... [mehr]
der RZ1214B65Y ist ein Silizium NPN Transistor, Uce = 60V, Ic = 6A, Anwend: Class C Breitband Leistungsverstärker in Basisschaltung für Impulsleistung im L- Band 1.2 bis 1.4GHz, Mikrowellen Leistungstransistor
Photo: -
Quelle: PSC Philips Data Handbook...... [mehr]
PSC Philips Data Handbook SC15
Erweiterte Informationen zu RZ1214B65Y
OEM:Philips Semi... [mehr]
Philips Semiconductors
Gehäuse:SOT443A
RZ1214B65Y Datenblatt (jpg):-
RZ1214B65Y Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
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hFE -
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der RZ1214B65Y ist ein Silizium NPN Transistor, Uce = 60V, Ic = 6A, Anwend: Class C Breitband Leistungsverstärker in Basisschaltung für Impulsleistung im L- Band 1.2 bis 1.4GHz, Mikrowellen Leistungstransistor
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