Lookbooks
R
X
G
ll
 Seite:
1 .. 571 572572 573 574 575 576576 577 .. 588  
rr

Startseite

mn

SCR's

sc

Dioden

di

Transistoren

tr

Integr. Schaltungen

ic

SMD Marking Codes

smd

Bauteilparametersuche

L
R

RX1214B80W


SI NPN Transistor
GFX
UCE/UCB 60/65V
IC 9A
hFE -
Ptot 280W
fT 1.4GHz
TJ 200°C
der RX1214B80W ist ein Silizium NPN Transistor, Uce = 60V, Ic = 9A, Anwend: Class C Breitband Leistungsverstärker in Basisschaltung für Radar- Impulsleistung von 1.2 bis 1.4GHz, Mikrowe... [mehr]
der RX1214B80W ist ein Silizium NPN Transistor, Uce = 60V, Ic = 9A, Anwend: Class C Breitband Leistungsverstärker in Basisschaltung für Radar- Impulsleistung von 1.2 bis 1.4GHz, Mikrowellen Leistungstransistor
Photo: -
Quelle: PSC Philips Data Handbook...... [mehr]
PSC Philips Data Handbook SC15
Erweiterte Informationen zu RX1214B80W
OEM:Philips Semi... [mehr]
Philips Semiconductors
Gehäuse:SOT439A
RX1214B80W Datenblatt (jpg):-
RX1214B80W Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

RX1214B80W


SI NPN Transistor
GFX
UCE/UCB 60/65V
IC 9A
hFE -
Ptot 280W
fT 1.4GHz
TJ 200°C
der RX1214B80W ist ein Silizium NPN Transistor, Uce = 60V, Ic = 9A, Anwend: Class C Breitband Leistungsverstärker in Basisschaltung für Radar- Impulsleistung von 1.2 bis 1.4GHz, Mikrowe... [mehr]
der RX1214B80W ist ein Silizium NPN Transistor, Uce = 60V, Ic = 9A, Anwend: Class C Breitband Leistungsverstärker in Basisschaltung für Radar- Impulsleistung von 1.2 bis 1.4GHz, Mikrowellen Leistungstransistor
Photo: -
Quelle: PSC Philips Data Handbook...... [mehr]
PSC Philips Data Handbook SC15
Erweiterte Informationen zu RX1214B80W
OEM:Philips Semi... [mehr]
Philips Semiconductors
Gehäuse:SOT439A
RX1214B80W Datenblatt (jpg):-
RX1214B80W Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

RX1214B80W


SI NPN Transistor
GFX
UCE/UCB 60/65V
IC 9A
hFE -
Ptot 280W
fT 1.4GHz
TJ 200°C
der RX1214B80W ist ein Silizium NPN Transistor, Uce = 60V, Ic = 9A, Anwend: Class C Breitband Leistungsverstärker in Basisschaltung für Radar- Impulsleistung von 1.2 bis 1.4GHz, Mikrowe... [mehr]
der RX1214B80W ist ein Silizium NPN Transistor, Uce = 60V, Ic = 9A, Anwend: Class C Breitband Leistungsverstärker in Basisschaltung für Radar- Impulsleistung von 1.2 bis 1.4GHz, Mikrowellen Leistungstransistor
Photo: -
Quelle: PSC Philips Data Handbook...... [mehr]
PSC Philips Data Handbook SC15
Erweiterte Informationen zu RX1214B80W
OEM:Philips Semi... [mehr]
Philips Semiconductors
Gehäuse:SOT439A
RX1214B80W Datenblatt (jpg):-
RX1214B80W Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche
Impressum
Angaben ohne Gewähr
Datenschutzerklärung