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RN1227


SI NPN Transistor
GFX
UCE/UCB 50/50V
IC 0.8A
hFE -
Ptot 300mW
fT 300MHz
TJ -
der RN1227 ist ein Silizium NPN Transistor, Uce = 50V, Ic = 800mA, Anwend: Schalttransistor, Rb 2.2kOhm, Rbe 10kOhm integriert
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu RN1227
OEM:Toshiba Toky... [mehr]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Gehäuse:-
RN1227 Datenblatt (jpg):-
RN1227 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:-
Bauteilsuche:Suche

RN1227


SI NPN Transistor
GFX
UCE/UCB 50/50V
IC 0.8A
hFE -
Ptot 300mW
fT 300MHz
TJ -
der RN1227 ist ein Silizium NPN Transistor, Uce = 50V, Ic = 800mA, Anwend: Schalttransistor, Rb 2.2kOhm, Rbe 10kOhm integriert
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Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu RN1227
OEM:Toshiba Toky... [mehr]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
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RN1227 Datenblatt (jpg):-
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-
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Bauteilsuche:Suche

RN1227


SI NPN Transistor
GFX
UCE/UCB 50/50V
IC 0.8A
hFE -
Ptot 300mW
fT 300MHz
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der RN1227 ist ein Silizium NPN Transistor, Uce = 50V, Ic = 800mA, Anwend: Schalttransistor, Rb 2.2kOhm, Rbe 10kOhm integriert
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-
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