Lookbooks
R
X
G
Seite:

R1005


SI NPN Transistor
GFX
UCE/UCB 50/50V
IC 0.1A
hFE >30
Ptot 300mW
fT 250MHz
TJ 150°C
der R1005 ist ein Silizium NPN Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Schalttransistor, Bias - Widerstand integriert
Photo: -
Quelle: KSR1005
Erweiterte Informationen zu R1005
OEM:Samsung Elec... [mehr]
Samsung Electronics CO. LTD.
Gehäuse: TO-92
R1005 Datenblatt (jpg):-
R1005 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:-
Bauteilsuche:Suche

R1005


SI NPN Transistor
GFX
UCE/UCB 50/50V
IC 0.1A
hFE >30
Ptot 300mW
fT 250MHz
TJ 150°C
der R1005 ist ein Silizium NPN Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Schalttransistor, Bias - Widerstand integriert
Photo: -
Quelle: KSR1005
Erweiterte Informationen zu R1005
OEM:Samsung Elec... [mehr]
Samsung Electronics CO. LTD.
Gehäuse: TO-92
R1005 Datenblatt (jpg):-
R1005 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:-
Bauteilsuche:Suche

R1005


SI NPN Transistor
GFX
UCE/UCB 50/50V
IC 0.1A
hFE >30
Ptot 300mW
fT 250MHz
TJ 150°C
der R1005 ist ein Silizium NPN Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Schalttransistor, Bias - Widerstand integriert
Photo: -
Quelle: KSR1005
Erweiterte Informationen zu R1005
OEM:Samsung Elec... [mehr]
Samsung Electronics CO. LTD.
Gehäuse: TO-92
R1005 Datenblatt (jpg):-
R1005 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:-
Bauteilsuche:Suche