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P13


SI NPN darlington Transistor
GFX
UCE/UCB 30/30V
IC 0.5A
hFE 5-10k
Ptot 625mW
fT >125MHz
TJ 150°C
der P13 ist ein Silizium NPN darlington Transistor, Uce = 30V, Ic = 500mA, Anwend: Universaltyp
Photo: -
Quelle: KSP13
Erweiterte Informationen zu P13
OEM:Samsung Elec... [mehr]
Samsung Electronics CO. LTD.
Gehäuse: TO-92
P13 Datenblatt (jpg):-
P13 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

P13


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GFX
UCE/UCB 30/30V
IC 0.5A
hFE 5-10k
Ptot 625mW
fT >125MHz
TJ 150°C
der P13 ist ein Silizium NPN darlington Transistor, Uce = 30V, Ic = 500mA, Anwend: Universaltyp
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Quelle: KSP13
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Samsung Electronics CO. LTD.
Gehäuse: TO-92
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IC 0.5A
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