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MX1011B430Y


SI NPN Transistor
GFX
UCE/UCB 65/65V
IC 35A
hFE -
Ptot 1.2kW
fT 1.09GHz
TJ 200°C
der MX1011B430Y ist ein Silizium NPN Transistor, Uce = 65V, Ic = 35A, Anwend: Class C Breitband Leistungsverstärker für TCAS Stufen im Bereich 1030MHz bis 1090MHz in Basisschaltung, Pul... [mehr]
der MX1011B430Y ist ein Silizium NPN Transistor, Uce = 65V, Ic = 35A, Anwend: Class C Breitband Leistungsverstärker für TCAS Stufen im Bereich 1030MHz bis 1090MHz in Basisschaltung, Pulsleistung, Mikrowellen Leistungstransistor
Photo: -
Quelle: PSC Philips Data Handbook...... [mehr]
PSC Philips Data Handbook SC15
Erweiterte Informationen zu MX1011B430Y
OEM:Philips Semi... [mehr]
Philips Semiconductors
Gehäuse:SOT439A
Datenblatt (jpg):-
Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

MX1011B430Y


SI NPN Transistor
GFX
UCE/UCB 65/65V
IC 35A
hFE -
Ptot 1.2kW
fT 1.09GHz
TJ 200°C
der MX1011B430Y ist ein Silizium NPN Transistor, Uce = 65V, Ic = 35A, Anwend: Class C Breitband Leistungsverstärker für TCAS Stufen im Bereich 1030MHz bis 1090MHz in Basisschaltung, Pul... [mehr]
der MX1011B430Y ist ein Silizium NPN Transistor, Uce = 65V, Ic = 35A, Anwend: Class C Breitband Leistungsverstärker für TCAS Stufen im Bereich 1030MHz bis 1090MHz in Basisschaltung, Pulsleistung, Mikrowellen Leistungstransistor
Photo: -
Quelle: PSC Philips Data Handbook...... [mehr]
PSC Philips Data Handbook SC15
Erweiterte Informationen zu MX1011B430Y
OEM:Philips Semi... [mehr]
Philips Semiconductors
Gehäuse:SOT439A
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OEM Datenblatt:-
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der MX1011B430Y ist ein Silizium NPN Transistor, Uce = 65V, Ic = 35A, Anwend: Class C Breitband Leistungsverstärker für TCAS Stufen im Bereich 1030MHz bis 1090MHz in Basisschaltung, Pulsleistung, Mikrowellen Leistungstransistor
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