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MP6001


SI NPN darlington Transistor
GFX
UCE/UCB 200/300V
IC 10A
hFE >500
Ptot 120W
fT 40MHz
TJ -
der MP6001 ist ein Silizium NPN darlington Transistor, Uce = 200V, Ic = 10A, Anwend: integrierte Diode
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu MP6001
OEM:Toshiba Toky... [mehr]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Gehäuse:14-SIL
MP6001 Datenblatt (jpg):-
MP6001 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:-
Bauteilsuche:Suche

MP6001


SI NPN darlington Transistor
GFX
UCE/UCB 200/300V
IC 10A
hFE >500
Ptot 120W
fT 40MHz
TJ -
der MP6001 ist ein Silizium NPN darlington Transistor, Uce = 200V, Ic = 10A, Anwend: integrierte Diode
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Jaeger electronic catalog 1999
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OEM:Toshiba Toky... [mehr]
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GFX
UCE/UCB 200/300V
IC 10A
hFE >500
Ptot 120W
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