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MJE801


SI NPN darlington Transistor
GFX
UCE/UCB 60/60V
IC 4A
hFE >750
Ptot 40W
fT -
TJ 150°C
der MJE801 ist ein Silizium NPN darlington Transistor, Uce = 60V, Ic = 4A, Anwend: Analog- und Schaltstufen mittlerer Leistung
Photo: -
Quelle: SGS ATES Databook discret...... [mehr]
SGS ATES Databook discrete power devices 5th edition 1982
Erweiterte Informationen zu MJE801
OEM:Ates Compone... [mehr]
Ates Component Electronics (SGS)
Gehäuse: TO-126
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UCE/UCB 60/60V
IC 4A
hFE ≥750
Ptot 40W
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Quelle: Motorola Databook 1972
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Motorola Semiconductor Products Inc.
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hFE ≥750
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SGS ATES Databook discrete power devices 3th edition 1977
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hFE >750
Ptot 40W
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TJ 150°C
der MJE801 ist ein Silizium NPN darlington Transistor, Uce = 60V, Ic = 4A, Anwend: Analog- und Schaltstufen mittlerer Leistung
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