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MJE5730


SI PNP Transistor
GFX
UCE/UCB -300/-300V
IC -1A
hFE 10-150
Ptot 40W
fT ≥10MHz
TJ 150°C
der MJE5730 ist ein Silizium PNP Transistor, Uce = 300V, Ic = 1A, Anwend: NF- Endstufen sowie Schaltnetzteile und Schaltstufen, Leistungstransistor für hohe Spannungen
Photo: -
Quelle: datasheet
Erweiterte Informationen zu MJE5730
OEM:Motorola Sem... [mehr]
Motorola Semiconductor Products Inc.
Gehäuse: TO-220AB
MJE5730 Datenblatt (jpg):-
MJE5730 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

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IC -1A
hFE 10-150
Ptot 40W
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