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MJ10050


SI NPN darlington Transistor
UCE/UCB 850/900V
IC 75A
hFE >40
Ptot 500W
TON/TOFF 2.25/135µS
TJ -
der MJ10050 ist ein Silizium NPN darlington Transistor, Uce = 850V, Ic = 75A, Anwend: Leistungs- Schalttransistor, integrierte Diode
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu MJ10050
OEM:Motorola Sem... [mehr]
Motorola Semiconductor Products Inc.
Gehäuse: CASE346-01
MJ10050 Datenblatt (jpg):-
MJ10050 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
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Bauteilsuche:Suche

MJ10050


SI NPN darlington Transistor
UCE/UCB 850/900V
IC 75A
hFE >40
Ptot 500W
TON/TOFF 2.25/135µS
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Jaeger electronic catalog 1999
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Gehäuse: CASE346-01
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UCE/UCB 850/900V
IC 75A
hFE >40
Ptot 500W
TON/TOFF 2.25/135µS
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