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MJ10025


SI NPN darlington Transistor
GFX
UCE/UCB 850/1200V
IC 20A
hFE 50-600
Ptot 250W
TON/TOFF 2.1/6.8µS
TJ -
der MJ10025 ist ein Silizium NPN darlington Transistor, Uce = 850V, Ic = 20A, Anwend: Schaltnetzteile, interne speed-up Diode E1 ->B1, integrierte Diode
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu MJ10025
OEM:Motorola Sem... [mehr]
Motorola Semiconductor Products Inc.
Gehäuse: TO-3
MJ10025 Datenblatt (jpg):-
MJ10025 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
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Bauteilsuche:Suche

MJ10025


SI NPN darlington Transistor
GFX
UCE/UCB 850/1200V
IC 20A
hFE 50-600
Ptot 250W
TON/TOFF 2.1/6.8µS
TJ -
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SI NPN darlington Transistor
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UCE/UCB 850/1200V
IC 20A
hFE 50-600
Ptot 250W
TON/TOFF 2.1/6.8µS
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