Lookbooks
R
X
G
Seite:

MJ10012


SI NPN darlington Transistor
GFX
UCE/UCB 550/600V
IC 10A
hFE 0.02-2k
Ptot 175W
fT -
TJ 200°C
der MJ10012 ist ein Silizium NPN darlington Transistor, Uce = 550V, Ic = 10A, Anwend: Schaltregler, KFZ- Zündstufen, Motor- Steuerung, Leistungstransistor
Photo: -
Quelle: datasheet
Erweiterte Informationen zu MJ10012
OEM:Motorola Sem... [mehr]
Motorola Semiconductor Products Inc.
Gehäuse: TO-3
MJ10012 Datenblatt (jpg):-
MJ10012 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

MJ10012


SI NPN darlington Transistor
GFX
UCE/UCB 550/600V
IC 10A
hFE 0.02-2k
Ptot 175W
fT -
TJ 200°C
der MJ10012 ist ein Silizium NPN darlington Transistor, Uce = 550V, Ic = 10A, Anwend: Schaltregler, KFZ- Zündstufen, Motor- Steuerung, Leistungstransistor
Photo: -
Quelle: datasheet
Erweiterte Informationen zu MJ10012
OEM:Motorola Sem... [mehr]
Motorola Semiconductor Products Inc.
Gehäuse: TO-3
MJ10012 Datenblatt (jpg):-
MJ10012 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

MJ10012


SI NPN darlington Transistor
GFX
UCE/UCB 550/600V
IC 10A
hFE 0.02-2k
Ptot 175W
fT -
TJ 200°C
der MJ10012 ist ein Silizium NPN darlington Transistor, Uce = 550V, Ic = 10A, Anwend: Schaltregler, KFZ- Zündstufen, Motor- Steuerung, Leistungstransistor
Photo: -
Quelle: datasheet
Erweiterte Informationen zu MJ10012
OEM:Motorola Sem... [mehr]
Motorola Semiconductor Products Inc.
Gehäuse: TO-3
MJ10012 Datenblatt (jpg):-
MJ10012 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche