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C12


SI NPN Transistor
GFX
UCB 60V
IC 0.25A
hFE -
Ptot 180mW
fT 13MHz
TJ -
der C12 ist ein Silizium NPN Transistor, Ucb = 60V, Ic = 250mA, Anwend: Verstärker- und Schaltstufen, NF- Transistor
Photo: -
Quelle: 2SC12
Erweiterte Informationen zu C12
OEM:Toshiba Toky... [mehr]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Gehäuse: TO-5
C12 Datenblatt (jpg):-
C12 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:BC140, [mehr]
BC140,BC141,2N2218,2N2219,2N3053
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

C12


SI NPN Transistor
GFX
UCB 60V
IC 0.25A
hFE -
Ptot 180mW
fT 13MHz
TJ -
der C12 ist ein Silizium NPN Transistor, Ucb = 60V, Ic = 250mA, Anwend: Verstärker- und Schaltstufen, NF- Transistor
Photo: -
Quelle: 2SC12
Erweiterte Informationen zu C12
OEM:Toshiba Toky... [mehr]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Gehäuse: TO-5
C12 Datenblatt (jpg):-
C12 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:BC140, [mehr]
BC140,BC141,2N2218,2N2219,2N3053
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SI NPN Transistor
GFX
UCB 60V
IC 0.25A
hFE -
Ptot 180mW
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OEM:Toshiba Toky... [mehr]
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OEM Datenblatt:-
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