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B751A


SI PNP darlington Transistor
GFX
UCE/UCB -80/-80V
IC -4A
hFE 1-10k
Ptot 40W
TON/TOFF 0.2/2µS
TJ -
der B751A ist ein Silizium PNP darlington Transistor, Uce = 80V, Ic = 4A, Anwend: Leistungstransistor, integrierte Diode
Photo: -
Quelle: 2SB751A
Erweiterte Informationen zu B751A
OEM:Matsushita D... [mehr]
Matsushita Denshi Kogyo Co., Japan
Gehäuse: TO-220
B751A Datenblatt (jpg):-
B751A Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:-
Ähnliche Typen:BD648, [mehr]
BD648,BD900,BDW24B,BDW64B
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B751A


SI PNP darlington Transistor
GFX
UCE/UCB -80/-80V
IC -4A
hFE 1-10k
Ptot 40W
TON/TOFF 0.2/2µS
TJ -
der B751A ist ein Silizium PNP darlington Transistor, Uce = 80V, Ic = 4A, Anwend: Leistungstransistor, integrierte Diode
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Matsushita Denshi Kogyo Co., Japan
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BD648,BD900,BDW24B,BDW64B
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B751A


SI PNP darlington Transistor
GFX
UCE/UCB -80/-80V
IC -4A
hFE 1-10k
Ptot 40W
TON/TOFF 0.2/2µS
TJ -
der B751A ist ein Silizium PNP darlington Transistor, Uce = 80V, Ic = 4A, Anwend: Leistungstransistor, integrierte Diode
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Quelle: 2SB751A
Erweiterte Informationen zu B751A
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Matsushita Denshi Kogyo Co., Japan
Gehäuse: TO-220
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BD648,BD900,BDW24B,BDW64B
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Anm.:ein ähnlicher Typ ist nicht immer ein Ersatztyp, bitte prüfe die Anforderungen der Schaltung vor dem Einsatz eines ähnlichen Typs als Ersatztyp

BD648


SI PNP darlington Transistor
ähnlich B751A siehe Anm.
GFX
UCE/UCB -80/-80V
IC DC/AC -8/-12A
hFE 0.75-1.5k
Ptot 62.5W
fT 7MHz
TJ 150°C
der BD648 ist ein ähnlicher Silizium PNP darlington Transistor, Uce = 80V, Ic = 8A, Anwend: Leistungstransistor
Photo: -
Quelle: Va Valvo Handbuch Transis...... [mehr]
Va Valvo Handbuch Transistoren Standardtypen 1974
Ähnlicher Typ: BD648
OEM:Valvo GmbH
Gehäuse: TO-220
BD648 Datenblatt (jpg):verfügbar
BD648 Datenblatt (pdf):verfügbar
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:BD647
Ähnliche Typen:BD900, [mehr]
BD900,BDW74B,BDX34B,BDX54B
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BD648


SI PNP darlington Transistor
ähnlich B751A siehe Anm.
GFX
UCE/UCB -80/-80V
IC DC/AC -8/-12A
hFE 0.75-1.5k
Ptot 62.5W
fT 7MHz
TJ 150°C
der BD648 ist ein ähnlicher Silizium PNP darlington Transistor, Uce = 80V, Ic = 8A, Anwend: Leistungstransistor
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Va Valvo Handbuch Transistoren Standardtypen 1974
Ähnlicher Typ: BD648
OEM:Valvo GmbH
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BD900,BDW74B,BDX34B,BDX54B
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BD648


SI PNP darlington Transistor
ähnlich B751A siehe Anm.
GFX
UCE/UCB -80/-80V
IC DC/AC -8/-12A
hFE 0.75-1.5k
Ptot 62.5W
fT 7MHz
TJ 150°C
der BD648 ist ein ähnlicher Silizium PNP darlington Transistor, Uce = 80V, Ic = 8A, Anwend: Leistungstransistor
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Va Valvo Handbuch Transistoren Standardtypen 1974
Ähnlicher Typ: BD648
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Komplementär Typ:BD647
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BD900,BDW74B,BDX34B,BDX54B
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Anm.:ein ähnlicher Typ ist nicht immer ein Ersatztyp, bitte prüfe die Anforderungen der Schaltung vor dem Einsatz eines ähnlichen Typs als Ersatztyp

BD900


SI PNP darlington Transistor
ähnlich B751A siehe Anm.
GFX
UCE/UCB -80/-80V
IC -8A
hFE >750
Ptot 70W
fT >1MHz
TJ -
der BD900 ist ein ähnlicher Silizium PNP darlington Transistor, Uce = 80V, Ic = 8A, Anwend: NF- Leistungstransistor, integrierte Diode
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Ähnlicher Typ: BD900
OEM:Texas Instru... [mehr]
Texas Instruments
Gehäuse: TO-220
BD900 Datenblatt (jpg):-
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OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:BD899
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BD648,BDW74B,BDX34B,BDX54B
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BD900


SI PNP darlington Transistor
ähnlich B751A siehe Anm.
GFX
UCE/UCB -80/-80V
IC -8A
hFE >750
Ptot 70W
fT >1MHz
TJ -
der BD900 ist ein ähnlicher Silizium PNP darlington Transistor, Uce = 80V, Ic = 8A, Anwend: NF- Leistungstransistor, integrierte Diode
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Jaeger electronic catalog 1999
Ähnlicher Typ: BD900
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Texas Instruments
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BD900


SI PNP darlington Transistor
ähnlich B751A siehe Anm.
GFX
UCE/UCB -80/-80V
IC -8A
hFE >750
Ptot 70W
fT >1MHz
TJ -
der BD900 ist ein ähnlicher Silizium PNP darlington Transistor, Uce = 80V, Ic = 8A, Anwend: NF- Leistungstransistor, integrierte Diode
Photo: -
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Jaeger electronic catalog 1999
Ähnlicher Typ: BD900
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Texas Instruments
Gehäuse: TO-220
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Komplementär Typ:BD899
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BD648,BDW74B,BDX34B,BDX54B
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Anm.:ein ähnlicher Typ ist nicht immer ein Ersatztyp, bitte prüfe die Anforderungen der Schaltung vor dem Einsatz eines ähnlichen Typs als Ersatztyp

BDW24B


SI PNP darlington Transistor
ähnlich B751A siehe Anm.
GFX
UCE/UCB -80/-80V
IC -6A
hFE 0.75-20k
Ptot 50W
fT -
TJ 150°C
der BDW24B ist ein ähnlicher Silizium PNP darlington Transistor, Uce = 80V, Ic = 6A, Anwend: Leistungsstufen
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Quelle: SGS ATES Databook discret...... [mehr]
SGS ATES Databook discrete power devices 3th edition 1977
Ähnlicher Typ: BDW24B
OEM:Ates Compone... [mehr]
Ates Component Electronics (SGS)
Gehäuse: TO-220
BDW24B Datenblatt (jpg):verfügbar
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OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:BDW23B
Ähnliche Typen:see BDW24B
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BDW24B


SI PNP darlington Transistor
ähnlich B751A siehe Anm.
GFX
UCE/UCB -80/-80V
IC -6A
hFE 0.75-20k
Ptot 50W
fT -
TJ 150°C
der BDW24B ist ein ähnlicher Silizium PNP darlington Transistor, Uce = 80V, Ic = 6A, Anwend: Leistungsstufen
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SGS ATES Databook discrete power devices 3th edition 1977
Ähnlicher Typ: BDW24B
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Ates Component Electronics (SGS)
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Komplementär Typ:BDW23B
Ähnliche Typen:see BDW24B
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BDW24B


SI PNP darlington Transistor
ähnlich B751A siehe Anm.
GFX
UCE/UCB -80/-80V
IC -6A
hFE 0.75-20k
Ptot 50W
fT -
TJ 150°C
der BDW24B ist ein ähnlicher Silizium PNP darlington Transistor, Uce = 80V, Ic = 6A, Anwend: Leistungsstufen
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Quelle: SGS ATES Databook discret...... [mehr]
SGS ATES Databook discrete power devices 3th edition 1977
Ähnlicher Typ: BDW24B
OEM:Ates Compone... [mehr]
Ates Component Electronics (SGS)
Gehäuse: TO-220
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Komplementär Typ:BDW23B
Ähnliche Typen:see BDW24B
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Anm.:ein ähnlicher Typ ist nicht immer ein Ersatztyp, bitte prüfe die Anforderungen der Schaltung vor dem Einsatz eines ähnlichen Typs als Ersatztyp

BDW64B


SI PNP darlington Transistor
ähnlich B751A siehe Anm.
GFX
UCE/UCB -80/-80V
IC -6A
hFE >750
Ptot 60W
fT >1MHz
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der BDW64B ist ein ähnlicher Silizium PNP darlington Transistor, Uce = 80V, Ic = 6A, Anwend: NF- Leistungstransistor, integrierte Diode
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Jaeger electronic catalog 1999
Ähnlicher Typ: BDW64B
OEM:Texas Instru... [mehr]
Texas Instruments
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Komplementär Typ:-
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BD648,BD900,BDW24B,BDX54B
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BDW64B


SI PNP darlington Transistor
ähnlich B751A siehe Anm.
GFX
UCE/UCB -80/-80V
IC -6A
hFE >750
Ptot 60W
fT >1MHz
TJ -
der BDW64B ist ein ähnlicher Silizium PNP darlington Transistor, Uce = 80V, Ic = 6A, Anwend: NF- Leistungstransistor, integrierte Diode
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Jaeger electronic catalog 1999
Ähnlicher Typ: BDW64B
OEM:Texas Instru... [mehr]
Texas Instruments
Gehäuse: TO-220
BDW64B Datenblatt (jpg):-
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BD648,BD900,BDW24B,BDX54B
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BDW64B


SI PNP darlington Transistor
ähnlich B751A siehe Anm.
GFX
UCE/UCB -80/-80V
IC -6A
hFE >750
Ptot 60W
fT >1MHz
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der BDW64B ist ein ähnlicher Silizium PNP darlington Transistor, Uce = 80V, Ic = 6A, Anwend: NF- Leistungstransistor, integrierte Diode
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Jaeger electronic catalog 1999
Ähnlicher Typ: BDW64B
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Texas Instruments
Gehäuse: TO-220
BDW64B Datenblatt (jpg):-
BDW64B Datenblatt (pdf):-
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BD648,BD900,BDW24B,BDX54B
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Anm.:ein ähnlicher Typ ist nicht immer ein Ersatztyp, bitte prüfe die Anforderungen der Schaltung vor dem Einsatz eines ähnlichen Typs als Ersatztyp