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B694


SI PNP darlington Transistor
GFX
UCE/UCB -100/-100V
IC -25A
hFE 1-20k
Ptot 125W
fT -
TJ -
der B694 ist ein Silizium PNP darlington Transistor, Uce = 100V, Ic = 25A, Anwend: Leistungstransistor, integrierte Diode
Photo: -
Quelle: 2SB694
Erweiterte Informationen zu B694
OEM:Hitachi Ltd.... [mehr]
Hitachi Ltd. Japan
Gehäuse: TO-3
B694 Datenblatt (jpg):-
B694 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ: ↑2SD730
Ähnliche Typen:BDX68B, [mehr]
BDX68B,MJ11013,MJ11015
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B694


SI PNP darlington Transistor
GFX
UCE/UCB -100/-100V
IC -25A
hFE 1-20k
Ptot 125W
fT -
TJ -
der B694 ist ein Silizium PNP darlington Transistor, Uce = 100V, Ic = 25A, Anwend: Leistungstransistor, integrierte Diode
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Hitachi Ltd. Japan
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GFX
UCE/UCB -100/-100V
IC -25A
hFE 1-20k
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der B694 ist ein Silizium PNP darlington Transistor, Uce = 100V, Ic = 25A, Anwend: Leistungstransistor, integrierte Diode
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Hitachi Ltd. Japan
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2SD730


SI NPN darlington Transistor
Komplementär Typ zu B694
GFX
UCE/UCB 100/100V
IC DC/AC 25/40A
hFE 1-20k
Ptot 125W
TON/TOFF 2/8µS
TJ -
der 2SD730 ist ein komplementärer Silizium NPN darlington Transistor, Uce = 100V, Ic = 25A, Anwend: integrierte Diode
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Komplementärtyp: 2SD730
OEM:Hitachi Ltd.... [mehr]
Hitachi Ltd. Japan
Gehäuse: TO-3
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SI NPN darlington Transistor
Komplementär Typ zu B694
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UCE/UCB 100/100V
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Ptot 125W
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Hitachi Ltd. Japan
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Komplementär Typ zu B694
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UCE/UCB 100/100V
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TON/TOFF 2/8µS
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der 2SD730 ist ein komplementärer Silizium NPN darlington Transistor, Uce = 100V, Ic = 25A, Anwend: integrierte Diode
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Jaeger electronic catalog 1999
Komplementärtyp: 2SD730
OEM:Hitachi Ltd.... [mehr]
Hitachi Ltd. Japan
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BDX69B,MJ11014
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