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| B632
SI PNP Transistor | | | UCE/UCB | -25/-25V | | | IC | -2A | | hFE | - | | Ptot | 10W | | fT | 100MHz | | TJ | - | | Photo: | - | | Quelle: | 2SB632 | | | Erweiterte Informationen zu B632 | | OEM: | Tokyo Sanyo... [mehr] Tokyo Sanyo Electric Co. Ltd. Japan | | Gehäuse: | TO-126 | | B632 Datenblatt (jpg): | - | | B632 Datenblatt (pdf): | - | | OEM Datenblatt: | - | | Komplementär Typ: | 2SD612 | | Ähnliche Typen: ↑ | BD330, [mehr] BD330,BD376,2SB1009 | | Suchmaske Vergleichstyp: | Suche Vergleichstyp | | | Bauteilsuche: | Suche |
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| B632
SI PNP Transistor | | | UCE/UCB | -25/-25V | | | IC | -2A | | hFE | - | | Ptot | 10W | | fT | 100MHz | | TJ | - | | Photo: | - | | Quelle: | 2SB632 | |
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| B632
SI PNP Transistor | | | UCE/UCB | -25/-25V | | | IC | -2A | | hFE | - | | Ptot | 10W | | fT | 100MHz | | TJ | - | | Photo: | - | | Quelle: | 2SB632 | | | Erweiterte Informationen zu B632 | | OEM: | Tokyo Sanyo... [mehr] Tokyo Sanyo Electric Co. Ltd. Japan | | Gehäuse: | TO-126 | | B632 Datenblatt (jpg): | - | | B632 Datenblatt (pdf): | - | | OEM Datenblatt: | - | | Komplementär Typ: | 2SD612 | | Ähnliche Typen: ↑ | BD330, [mehr] BD330,BD376,2SB1009 | | Suchmaske Vergleichstyp: | Suche Vergleichstyp | | | Bauteilsuche: | Suche |
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Anm.:ein ähnlicher Typ ist nicht immer ein Ersatztyp, bitte prüfe die Anforderungen der Schaltung vor dem Einsatz eines ähnlichen Typs als Ersatztyp
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| BD330
SI PNP Transistor
ähnlich B632 siehe Anm. | | | UCE/UCB | -20/-32V | | | IC | -3A | | hFE | 85-375 | | Ptot | 15W | | fT | 100MHz | | TJ | 150°C | | Photo: | - | | Quelle: | Va Valvo Halbleiterbauele...... [mehr] Va Valvo Halbleiterbauelemente 1976 | | |
| BD330
SI PNP Transistor
ähnlich B632 siehe Anm. | | | UCE/UCB | -20/-32V | | | IC | -3A | | hFE | 85-375 | | Ptot | 15W | | fT | 100MHz | | TJ | 150°C | | Photo: | - | | Quelle: | Va Valvo Halbleiterbauele...... [mehr] Va Valvo Halbleiterbauelemente 1976 | | | | |
| BD330
SI PNP Transistor
ähnlich B632 siehe Anm. | | | UCE/UCB | -20/-32V | | | IC | -3A | | hFE | 85-375 | | Ptot | 15W | | fT | 100MHz | | TJ | 150°C | | Photo: | - | | Quelle: | Va Valvo Halbleiterbauele...... [mehr] Va Valvo Halbleiterbauelemente 1976 | | |
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Anm.:ein ähnlicher Typ ist nicht immer ein Ersatztyp, bitte prüfe die Anforderungen der Schaltung vor dem Einsatz eines ähnlichen Typs als Ersatztyp
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| BD376
SI PNP Transistor
ähnlich B632 siehe Anm. | | | UCE/UCB | -45/-50V | | | IC | -2A | | hFE | - | | Ptot | 25W | | fT | >50MHz | | TJ | - | | Photo: | - | | Quelle: | Samsung Semic. Technical...... [mehr] Samsung Semic. Technical Product Inf. 1995 (CD) | | |
| BD376
SI PNP Transistor
ähnlich B632 siehe Anm. | | | UCE/UCB | -45/-50V | | | IC | -2A | | hFE | - | | Ptot | 25W | | fT | >50MHz | | TJ | - | | Photo: | - | | Quelle: | Samsung Semic. Technical...... [mehr] Samsung Semic. Technical Product Inf. 1995 (CD) | | | | |
| BD376
SI PNP Transistor
ähnlich B632 siehe Anm. | | | UCE/UCB | -45/-50V | | | IC | -2A | | hFE | - | | Ptot | 25W | | fT | >50MHz | | TJ | - | | Photo: | - | | Quelle: | Samsung Semic. Technical...... [mehr] Samsung Semic. Technical Product Inf. 1995 (CD) | | |
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Anm.:ein ähnlicher Typ ist nicht immer ein Ersatztyp, bitte prüfe die Anforderungen der Schaltung vor dem Einsatz eines ähnlichen Typs als Ersatztyp
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| 2SB1009
SI PNP Transistor
ähnlich B632 siehe Anm. | | | UCE/UCB | -32/-40V | | | IC | -2A | | hFE | - | | Ptot | 10W | | fT | 100MHz | | TJ | - | | Photo: | - | | Quelle: | Jaeger electronic catalog...... [mehr] Jaeger electronic catalog 1999 | | | Ähnlicher Typ: 2SB1009 | | OEM: | Rohm Corpora... [mehr] Rohm Corporation Ltd. Japan | | Gehäuse: | TO-126 | | 2SB1009 Datenblatt (jpg): | - | | 2SB1009 Datenblatt (pdf): | - | | OEM Datenblatt: | - | | Komplementär Typ: | 2SD1380 | | Ähnliche Typen: ↑ | BD376, [mehr] BD376,2SA1217,2SB1217 | | Suchmaske Vergleichstyp: | Suche Vergleichstyp | | | Bauteilsuche: | Suche |
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| 2SB1009
SI PNP Transistor
ähnlich B632 siehe Anm. | | | UCE/UCB | -32/-40V | | | IC | -2A | | hFE | - | | Ptot | 10W | | fT | 100MHz | | TJ | - | | Photo: | - | | Quelle: | Jaeger electronic catalog...... [mehr] Jaeger electronic catalog 1999 | | | | Ähnlicher Typ: 2SB1009 | | OEM: | Rohm Corpora... [mehr] Rohm Corporation Ltd. Japan | | Gehäuse: | TO-126 | | 2SB1009 Datenblatt (jpg): | - | | 2SB1009 Datenblatt (pdf): | - | | OEM Datenblatt: | - | | Komplementär Typ: | 2SD1380 | | Ähnliche Typen: ↑ | BD376, [mehr] BD376,2SA1217,2SB1217 | | Suchmaske Vergleichstyp: | Suche Vergleichstyp | | | Bauteilsuche: | Suche |
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| 2SB1009
SI PNP Transistor
ähnlich B632 siehe Anm. | | | UCE/UCB | -32/-40V | | | IC | -2A | | hFE | - | | Ptot | 10W | | fT | 100MHz | | TJ | - | | Photo: | - | | Quelle: | Jaeger electronic catalog...... [mehr] Jaeger electronic catalog 1999 | | | Ähnlicher Typ: 2SB1009 | | OEM: | Rohm Corpora... [mehr] Rohm Corporation Ltd. Japan | | Gehäuse: | TO-126 | | 2SB1009 Datenblatt (jpg): | - | | 2SB1009 Datenblatt (pdf): | - | | OEM Datenblatt: | - | | Komplementär Typ: | 2SD1380 | | Ähnliche Typen: ↑ | BD376, [mehr] BD376,2SA1217,2SB1217 | | Suchmaske Vergleichstyp: | Suche Vergleichstyp | | | Bauteilsuche: | Suche |
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Anm.:ein ähnlicher Typ ist nicht immer ein Ersatztyp, bitte prüfe die Anforderungen der Schaltung vor dem Einsatz eines ähnlichen Typs als Ersatztyp
