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B631


SI PNP Transistor
GFX
UCE/UCB -100/-100V
IC -1A
hFE -
Ptot 8W
fT 110MHz
TJ -
der B631 ist ein Silizium PNP Transistor, Uce = 100V, Ic = 1A, Anwend: niedrige Uce Sättigungsspannung
Photo: -
Quelle: 2SB631
Erweiterte Informationen zu B631
OEM:Tokyo Sanyo... [mehr]
Tokyo Sanyo Electric Co. Ltd. Japan
Gehäuse: TO-126
B631 Datenblatt (jpg):-
B631 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:2SD600
Ähnliche Typen:BD140, [mehr]
BD140,BD231,BD380,2SA1184
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B631


SI PNP Transistor
GFX
UCE/UCB -100/-100V
IC -1A
hFE -
Ptot 8W
fT 110MHz
TJ -
der B631 ist ein Silizium PNP Transistor, Uce = 100V, Ic = 1A, Anwend: niedrige Uce Sättigungsspannung
Photo: -
Quelle: 2SB631
Erweiterte Informationen zu B631
OEM:Tokyo Sanyo... [mehr]
Tokyo Sanyo Electric Co. Ltd. Japan
Gehäuse: TO-126
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OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:2SD600
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B631


SI PNP Transistor
GFX
UCE/UCB -100/-100V
IC -1A
hFE -
Ptot 8W
fT 110MHz
TJ -
der B631 ist ein Silizium PNP Transistor, Uce = 100V, Ic = 1A, Anwend: niedrige Uce Sättigungsspannung
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Quelle: 2SB631
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Tokyo Sanyo Electric Co. Ltd. Japan
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2SD600


SI NPN Transistor
Komplementär Typ zu B631
GFX
UCE/UCB 100/100V
IC 1A
hFE -
Ptot 8W
fT 130MHz
TJ -
der 2SD600 ist ein komplementärer Silizium NPN Transistor, Uce = 100V, Ic = 1A
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Komplementärtyp: 2SD600
OEM:Tokyo Sanyo... [mehr]
Tokyo Sanyo Electric Co. Ltd. Japan
Gehäuse: TO-126
2SD600 Datenblatt (jpg):-
2SD600 Datenblatt (pdf):-
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Ähnliche Typen:2SD1684
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2SD600


SI NPN Transistor
Komplementär Typ zu B631
GFX
UCE/UCB 100/100V
IC 1A
hFE -
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fT 130MHz
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der 2SD600 ist ein komplementärer Silizium NPN Transistor, Uce = 100V, Ic = 1A
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Tokyo Sanyo Electric Co. Ltd. Japan
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SI NPN Transistor
Komplementär Typ zu B631
GFX
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Jaeger electronic catalog 1999
Komplementärtyp: 2SD600
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Gehäuse: TO-126
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