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B612


SI PNP Transistor
GFX
UCE/UCB -140/-180V
IC -12A
hFE -
Ptot 100W
fT -
TJ -
der B612 ist ein Silizium PNP Transistor, Uce = 140V, Ic = 12A, Anwend: Verstärker- und Schaltstufen, NF- Leistungstransistor
Photo: -
Quelle: 2SB612
Erweiterte Informationen zu B612
OEM:Hitachi Ltd.... [mehr]
Hitachi Ltd. Japan
Gehäuse: TO-3
B612 Datenblatt (jpg):-
B612 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:2SD582
Ähnliche Typen:2SA1147, [mehr]
2SA1147,2SB645
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B612


SI PNP Transistor
GFX
UCE/UCB -140/-180V
IC -12A
hFE -
Ptot 100W
fT -
TJ -
der B612 ist ein Silizium PNP Transistor, Uce = 140V, Ic = 12A, Anwend: Verstärker- und Schaltstufen, NF- Leistungstransistor
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Hitachi Ltd. Japan
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2SA1147,2SB645
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SI PNP Transistor
GFX
UCE/UCB -140/-180V
IC -12A
hFE -
Ptot 100W
fT -
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der B612 ist ein Silizium PNP Transistor, Uce = 140V, Ic = 12A, Anwend: Verstärker- und Schaltstufen, NF- Leistungstransistor
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Hitachi Ltd. Japan
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Komplementär Typ:2SD582
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2SA1147,2SB645
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Anm.:ein ähnlicher Typ ist nicht immer ein Ersatztyp, bitte prüfe die Anforderungen der Schaltung vor dem Einsatz eines ähnlichen Typs als Ersatztyp

2SA1147


SI PNP Transistor
ähnlich B612 siehe Anm.
GFX
UCE/UCB -180/-180V
IC -15A
hFE -
Ptot 150W
fT 60MHz
TJ -
der 2SA1147 ist ein ähnlicher Silizium PNP Transistor, Uce = 180V, Ic = 15A, Anwend: Verstärker- und Schaltstufen, NF- Leistungstransistor
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Ähnlicher Typ: 2SA1147
OEM:Toshiba Toky... [mehr]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Gehäuse: TO-3
2SA1147 Datenblatt (jpg):-
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OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:2SC2707
Ähnliche Typen:MJ15016, [mehr]
MJ15016,2SA909,2SA1116,2SA1117,2SB645
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2SA1147


SI PNP Transistor
ähnlich B612 siehe Anm.
GFX
UCE/UCB -180/-180V
IC -15A
hFE -
Ptot 150W
fT 60MHz
TJ -
der 2SA1147 ist ein ähnlicher Silizium PNP Transistor, Uce = 180V, Ic = 15A, Anwend: Verstärker- und Schaltstufen, NF- Leistungstransistor
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MJ15016,2SA909,2SA1116,2SA1117,2SB645
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2SA1147


SI PNP Transistor
ähnlich B612 siehe Anm.
GFX
UCE/UCB -180/-180V
IC -15A
hFE -
Ptot 150W
fT 60MHz
TJ -
der 2SA1147 ist ein ähnlicher Silizium PNP Transistor, Uce = 180V, Ic = 15A, Anwend: Verstärker- und Schaltstufen, NF- Leistungstransistor
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Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
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MJ15016,2SA909,2SA1116,2SA1117,2SB645
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2SB645


SI PNP Transistor
ähnlich B612 siehe Anm.
GFX
UCE/UCB -200/-200V
IC -15A
hFE -
Ptot 150W
fT 12MHz
TJ -
der 2SB645 ist ein ähnlicher Silizium PNP Transistor, Uce = 200V, Ic = 15A, Anwend: Verstärker- und Schaltstufen, NF- Leistungstransistor
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MJ15016,2SA909,2SA1116,2SA1117,2SB613
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2SB645


SI PNP Transistor
ähnlich B612 siehe Anm.
GFX
UCE/UCB -200/-200V
IC -15A
hFE -
Ptot 150W
fT 12MHz
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der 2SB645 ist ein ähnlicher Silizium PNP Transistor, Uce = 200V, Ic = 15A, Anwend: Verstärker- und Schaltstufen, NF- Leistungstransistor
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Jaeger electronic catalog 1999
Ähnlicher Typ: 2SB645
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Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
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MJ15016,2SA909,2SA1116,2SA1117,2SB613
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ähnlich B612 siehe Anm.
GFX
UCE/UCB -200/-200V
IC -15A
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Ptot 150W
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der 2SB645 ist ein ähnlicher Silizium PNP Transistor, Uce = 200V, Ic = 15A, Anwend: Verstärker- und Schaltstufen, NF- Leistungstransistor
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MJ15016,2SA909,2SA1116,2SA1117,2SB613
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