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AR1A3M


SI PNP Transistor
GFX
UCE/UCB -60/-60V
IC -1A
hFE -
Ptot 750mW
fT -
TJ -
der AR1A3M ist ein Silizium PNP Transistor, Uce = 60V, Ic = 1A, Anwend: Schalttransistor, Rb, Rbe 1kOhm integriert
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu AR1A3M
OEM:Nippon Elect... [mehr]
Nippon Electric Comp. Ltd. NEC, Japan
Gehäuse: TO-92
AR1A3M Datenblatt (jpg):-
AR1A3M Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ: ↑AD1A3M
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SI PNP Transistor
GFX
UCE/UCB -60/-60V
IC -1A
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Ptot 750mW
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der AR1A3M ist ein Silizium PNP Transistor, Uce = 60V, Ic = 1A, Anwend: Schalttransistor, Rb, Rbe 1kOhm integriert
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Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu AR1A3M
OEM:Nippon Elect... [mehr]
Nippon Electric Comp. Ltd. NEC, Japan
Gehäuse: TO-92
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IC -1A
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AD1A3M


SI NPN Transistor
Komplementär Typ zu AR1A3M
GFX
UCE/UCB 60/80V
IC 1A
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der AD1A3M ist ein komplementärer Silizium NPN Transistor, Uce = 60V, Ic = 1A, Anwend: Schalttransistor, Rb 1kOhm, Rbe 1kOhm integriert
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Jaeger electronic catalog 1999
Komplementärtyp: AD1A3M
OEM:Nippon Elect... [mehr]
Nippon Electric Comp. Ltd. NEC, Japan
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der AD1A3M ist ein komplementärer Silizium NPN Transistor, Uce = 60V, Ic = 1A, Anwend: Schalttransistor, Rb 1kOhm, Rbe 1kOhm integriert
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