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AP1A4M


SI PNP Transistor
GFX
UCE/UCB -25/-25V
IC -0.7A
hFE -
Ptot 750mW
fT -
TJ -
der AP1A4M ist ein Silizium PNP Transistor, Uce = 25V, Ic = 700mA, Anwend: Rb 10kOhm, Rbe 10kOhm integriert
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu AP1A4M
OEM:Nippon Elect... [mehr]
Nippon Electric Comp. Ltd. NEC, Japan
Gehäuse: TO-92
AP1A4M Datenblatt (jpg):-
AP1A4M Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:AB1A4M
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:-
Bauteilsuche:Suche

AP1A4M


SI PNP Transistor
GFX
UCE/UCB -25/-25V
IC -0.7A
hFE -
Ptot 750mW
fT -
TJ -
der AP1A4M ist ein Silizium PNP Transistor, Uce = 25V, Ic = 700mA, Anwend: Rb 10kOhm, Rbe 10kOhm integriert
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu AP1A4M
OEM:Nippon Elect... [mehr]
Nippon Electric Comp. Ltd. NEC, Japan
Gehäuse: TO-92
AP1A4M Datenblatt (jpg):-
AP1A4M Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:AB1A4M
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:-
Bauteilsuche:Suche

AP1A4M


SI PNP Transistor
GFX
UCE/UCB -25/-25V
IC -0.7A
hFE -
Ptot 750mW
fT -
TJ -
der AP1A4M ist ein Silizium PNP Transistor, Uce = 25V, Ic = 700mA, Anwend: Rb 10kOhm, Rbe 10kOhm integriert
Photo: -
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Jaeger electronic catalog 1999
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OEM:Nippon Elect... [mehr]
Nippon Electric Comp. Ltd. NEC, Japan
Gehäuse: TO-92
AP1A4M Datenblatt (jpg):-
AP1A4M Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:AB1A4M
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:-
Bauteilsuche:Suche