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AA1L4Z


SI NPN Transistor
GFX
UCE/UCB 50/60V
IC 0.1A
hFE -
Ptot 250mW
fT -
TJ -
der AA1L4Z ist ein Silizium NPN Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Schalttransistor, Rb 47kOhm integriert
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu AA1L4Z
OEM:Nippon Elect... [mehr]
Nippon Electric Comp. Ltd. NEC, Japan
Gehäuse: TO-92
AA1L4Z Datenblatt (jpg):-
AA1L4Z Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:AN1L4Z
Ähnliche Typen:DTC144TS, [mehr]
DTC144TS,KSR1012,UN4210,2SC3899
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AA1L4Z


SI NPN Transistor
GFX
UCE/UCB 50/60V
IC 0.1A
hFE -
Ptot 250mW
fT -
TJ -
der AA1L4Z ist ein Silizium NPN Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Schalttransistor, Rb 47kOhm integriert
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Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu AA1L4Z
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Nippon Electric Comp. Ltd. NEC, Japan
Gehäuse: TO-92
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Komplementär Typ:AN1L4Z
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DTC144TS,KSR1012,UN4210,2SC3899
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AA1L4Z


SI NPN Transistor
GFX
UCE/UCB 50/60V
IC 0.1A
hFE -
Ptot 250mW
fT -
TJ -
der AA1L4Z ist ein Silizium NPN Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Schalttransistor, Rb 47kOhm integriert
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Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu AA1L4Z
OEM:Nippon Elect... [mehr]
Nippon Electric Comp. Ltd. NEC, Japan
Gehäuse: TO-92
AA1L4Z Datenblatt (jpg):-
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Komplementär Typ:AN1L4Z
Ähnliche Typen:DTC144TS, [mehr]
DTC144TS,KSR1012,UN4210,2SC3899
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Anm.:ein ähnlicher Typ ist nicht immer ein Ersatztyp, bitte prüfe die Anforderungen der Schaltung vor dem Einsatz eines ähnlichen Typs als Ersatztyp

KSR1012


SI NPN Transistor
ähnlich AA1L4Z siehe Anm.
GFX
UCE/UCB 40/40V
IC 0.1A
hFE 100-600
Ptot 300mW
fT 250MHz
TJ 150°C
der KSR1012 ist ein ähnlicher Silizium NPN Transistor, Uce = 40V, Ic = 100mA, Anwend: Schalttransistor, Bias - Widerstand integriert
Photo: -
Quelle: datasheet
Ähnlicher Typ: KSR1012
OEM:Samsung Elec... [mehr]
Samsung Electronics CO. LTD.
Gehäuse: TO-92
KSR1012 Datenblatt (jpg):verfügbar
KSR1012 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:-
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KSR1012


SI NPN Transistor
ähnlich AA1L4Z siehe Anm.
GFX
UCE/UCB 40/40V
IC 0.1A
hFE 100-600
Ptot 300mW
fT 250MHz
TJ 150°C
der KSR1012 ist ein ähnlicher Silizium NPN Transistor, Uce = 40V, Ic = 100mA, Anwend: Schalttransistor, Bias - Widerstand integriert
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Quelle: datasheet
Ähnlicher Typ: KSR1012
OEM:Samsung Elec... [mehr]
Samsung Electronics CO. LTD.
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KSR1012 Datenblatt (jpg):verfügbar
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KSR1012


SI NPN Transistor
ähnlich AA1L4Z siehe Anm.
GFX
UCE/UCB 40/40V
IC 0.1A
hFE 100-600
Ptot 300mW
fT 250MHz
TJ 150°C
der KSR1012 ist ein ähnlicher Silizium NPN Transistor, Uce = 40V, Ic = 100mA, Anwend: Schalttransistor, Bias - Widerstand integriert
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Quelle: datasheet
Ähnlicher Typ: KSR1012
OEM:Samsung Elec... [mehr]
Samsung Electronics CO. LTD.
Gehäuse: TO-92
KSR1012 Datenblatt (jpg):verfügbar
KSR1012 Datenblatt (pdf):-
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Anm.:ein ähnlicher Typ ist nicht immer ein Ersatztyp, bitte prüfe die Anforderungen der Schaltung vor dem Einsatz eines ähnlichen Typs als Ersatztyp

UN4210


SI NPN Transistor
ähnlich AA1L4Z siehe Anm.
GFX
UCE/UCB 50/50V
IC 0.1A
hFE -
Ptot 300mW
fT 80MHz
TJ -
der UN4210 ist ein ähnlicher Silizium NPN Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Rb 47kOhm integriert
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Ähnlicher Typ: UN4210
OEM:Matsushita D... [mehr]
Matsushita Denshi Kogyo Co., Japan
Gehäuse:-
UN4210 Datenblatt (jpg):-
UN4210 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:-
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UN4210


SI NPN Transistor
ähnlich AA1L4Z siehe Anm.
GFX
UCE/UCB 50/50V
IC 0.1A
hFE -
Ptot 300mW
fT 80MHz
TJ -
der UN4210 ist ein ähnlicher Silizium NPN Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Rb 47kOhm integriert
Photo: -
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Jaeger electronic catalog 1999
Ähnlicher Typ: UN4210
OEM:Matsushita D... [mehr]
Matsushita Denshi Kogyo Co., Japan
Gehäuse:-
UN4210 Datenblatt (jpg):-
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Komplementär Typ:-
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UN4210


SI NPN Transistor
ähnlich AA1L4Z siehe Anm.
GFX
UCE/UCB 50/50V
IC 0.1A
hFE -
Ptot 300mW
fT 80MHz
TJ -
der UN4210 ist ein ähnlicher Silizium NPN Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Rb 47kOhm integriert
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Jaeger electronic catalog 1999
Ähnlicher Typ: UN4210
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Matsushita Denshi Kogyo Co., Japan
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UN4210 Datenblatt (jpg):-
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Komplementär Typ:-
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Anm.:ein ähnlicher Typ ist nicht immer ein Ersatztyp, bitte prüfe die Anforderungen der Schaltung vor dem Einsatz eines ähnlichen Typs als Ersatztyp

2SC3899


SI NPN Transistor
ähnlich AA1L4Z siehe Anm.
GFX
UCE/UCB 50/50V
IC 0.1A
hFE -
Ptot 300mW
fT 250MHz
TJ -
der 2SC3899 ist ein ähnlicher Silizium NPN Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Schalttransistor, Rb 47kOhm integriert
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Jaeger electronic catalog 1999
Ähnlicher Typ: 2SC3899
OEM:Tokyo Sanyo... [mehr]
Tokyo Sanyo Electric Co. Ltd. Japan
Gehäuse:-
2SC3899 Datenblatt (jpg):-
2SC3899 Datenblatt (pdf):-
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Komplementär Typ:2SA1509
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AA1L4Z,DTC144TS,RN1013,UN4210
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2SC3899


SI NPN Transistor
ähnlich AA1L4Z siehe Anm.
GFX
UCE/UCB 50/50V
IC 0.1A
hFE -
Ptot 300mW
fT 250MHz
TJ -
der 2SC3899 ist ein ähnlicher Silizium NPN Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Schalttransistor, Rb 47kOhm integriert
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Jaeger electronic catalog 1999
Ähnlicher Typ: 2SC3899
OEM:Tokyo Sanyo... [mehr]
Tokyo Sanyo Electric Co. Ltd. Japan
Gehäuse:-
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Komplementär Typ:2SA1509
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AA1L4Z,DTC144TS,RN1013,UN4210
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2SC3899


SI NPN Transistor
ähnlich AA1L4Z siehe Anm.
GFX
UCE/UCB 50/50V
IC 0.1A
hFE -
Ptot 300mW
fT 250MHz
TJ -
der 2SC3899 ist ein ähnlicher Silizium NPN Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Schalttransistor, Rb 47kOhm integriert
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Jaeger electronic catalog 1999
Ähnlicher Typ: 2SC3899
OEM:Tokyo Sanyo... [mehr]
Tokyo Sanyo Electric Co. Ltd. Japan
Gehäuse:-
2SC3899 Datenblatt (jpg):-
2SC3899 Datenblatt (pdf):-
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Komplementär Typ:2SA1509
Ähnliche Typen:AA1L4Z, [mehr]
AA1L4Z,DTC144TS,RN1013,UN4210
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Anm.:ein ähnlicher Typ ist nicht immer ein Ersatztyp, bitte prüfe die Anforderungen der Schaltung vor dem Einsatz eines ähnlichen Typs als Ersatztyp