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AA1L3N


SI NPN Transistor
GFX
UCE/UCB 50/60V
IC 0.1A
hFE -
Ptot 250mW
fT -
TJ -
der AA1L3N ist ein Silizium NPN Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Schalttransistor, Rb 4.7kOhm, Rbe 10kOhm integriert
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu AA1L3N
OEM:Nippon Elect... [mehr]
Nippon Electric Comp. Ltd. NEC, Japan
Gehäuse: TO-92
AA1L3N Datenblatt (jpg):-
AA1L3N Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:AN1L3N
Ähnliche Typen:DTC143XS, [mehr]
DTC143XS,KSR1005,UN421F,2SC4361
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AA1L3N


SI NPN Transistor
GFX
UCE/UCB 50/60V
IC 0.1A
hFE -
Ptot 250mW
fT -
TJ -
der AA1L3N ist ein Silizium NPN Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Schalttransistor, Rb 4.7kOhm, Rbe 10kOhm integriert
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Komplementär Typ:AN1L3N
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AA1L3N


SI NPN Transistor
GFX
UCE/UCB 50/60V
IC 0.1A
hFE -
Ptot 250mW
fT -
TJ -
der AA1L3N ist ein Silizium NPN Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Schalttransistor, Rb 4.7kOhm, Rbe 10kOhm integriert
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Nippon Electric Comp. Ltd. NEC, Japan
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Anm.:ein ähnlicher Typ ist nicht immer ein Ersatztyp, bitte prüfe die Anforderungen der Schaltung vor dem Einsatz eines ähnlichen Typs als Ersatztyp

KSR1005


SI NPN Transistor
ähnlich AA1L3N siehe Anm.
GFX
UCE/UCB 50/50V
IC 0.1A
hFE >30
Ptot 300mW
fT 250MHz
TJ 150°C
der KSR1005 ist ein ähnlicher Silizium NPN Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Schalttransistor, Bias - Widerstand integriert
Photo: -
Quelle: datasheet
Ähnlicher Typ: KSR1005
OEM:Samsung Elec... [mehr]
Samsung Electronics CO. LTD.
Gehäuse: TO-92
KSR1005 Datenblatt (jpg):verfügbar
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KSR1005


SI NPN Transistor
ähnlich AA1L3N siehe Anm.
GFX
UCE/UCB 50/50V
IC 0.1A
hFE >30
Ptot 300mW
fT 250MHz
TJ 150°C
der KSR1005 ist ein ähnlicher Silizium NPN Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Schalttransistor, Bias - Widerstand integriert
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KSR1005


SI NPN Transistor
ähnlich AA1L3N siehe Anm.
GFX
UCE/UCB 50/50V
IC 0.1A
hFE >30
Ptot 300mW
fT 250MHz
TJ 150°C
der KSR1005 ist ein ähnlicher Silizium NPN Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Schalttransistor, Bias - Widerstand integriert
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Anm.:ein ähnlicher Typ ist nicht immer ein Ersatztyp, bitte prüfe die Anforderungen der Schaltung vor dem Einsatz eines ähnlichen Typs als Ersatztyp

UN421F


SI NPN Transistor
ähnlich AA1L3N siehe Anm.
GFX
UCE/UCB 50/50V
IC 0.1A
hFE -
Ptot 300mW
fT 80MHz
TJ -
der UN421F ist ein ähnlicher Silizium NPN Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Rb 4.7kOhm, Rbe10kOhm integriert
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Jaeger electronic catalog 1999
Ähnlicher Typ: UN421F
OEM:Matsushita D... [mehr]
Matsushita Denshi Kogyo Co., Japan
Gehäuse:-
UN421F Datenblatt (jpg):-
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UN421F


SI NPN Transistor
ähnlich AA1L3N siehe Anm.
GFX
UCE/UCB 50/50V
IC 0.1A
hFE -
Ptot 300mW
fT 80MHz
TJ -
der UN421F ist ein ähnlicher Silizium NPN Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Rb 4.7kOhm, Rbe10kOhm integriert
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Ähnlicher Typ: UN421F
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Matsushita Denshi Kogyo Co., Japan
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UN421F


SI NPN Transistor
ähnlich AA1L3N siehe Anm.
GFX
UCE/UCB 50/50V
IC 0.1A
hFE -
Ptot 300mW
fT 80MHz
TJ -
der UN421F ist ein ähnlicher Silizium NPN Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Rb 4.7kOhm, Rbe10kOhm integriert
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Jaeger electronic catalog 1999
Ähnlicher Typ: UN421F
OEM:Matsushita D... [mehr]
Matsushita Denshi Kogyo Co., Japan
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UN421F Datenblatt (jpg):-
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Anm.:ein ähnlicher Typ ist nicht immer ein Ersatztyp, bitte prüfe die Anforderungen der Schaltung vor dem Einsatz eines ähnlichen Typs als Ersatztyp

2SC4361


SI NPN Transistor
ähnlich AA1L3N siehe Anm.
GFX
UCE/UCB 50/50V
IC 0.1A
hFE -
Ptot 300mW
fT 250MHz
TJ -
der 2SC4361 ist ein ähnlicher Silizium NPN Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Schalttransistor, Rb 4.7kOhm, Rbe10kOhm integriert
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Jaeger electronic catalog 1996
Ähnlicher Typ: 2SC4361
OEM:Tokyo Sanyo... [mehr]
Tokyo Sanyo Electric Co. Ltd. Japan
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2SC4361 Datenblatt (jpg):-
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Komplementär Typ:2SA1654
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AA1L3N,DTC143XS,KSR1005,UN421F
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2SC4361


SI NPN Transistor
ähnlich AA1L3N siehe Anm.
GFX
UCE/UCB 50/50V
IC 0.1A
hFE -
Ptot 300mW
fT 250MHz
TJ -
der 2SC4361 ist ein ähnlicher Silizium NPN Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Schalttransistor, Rb 4.7kOhm, Rbe10kOhm integriert
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Jaeger electronic catalog 1996
Ähnlicher Typ: 2SC4361
OEM:Tokyo Sanyo... [mehr]
Tokyo Sanyo Electric Co. Ltd. Japan
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Komplementär Typ:2SA1654
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AA1L3N,DTC143XS,KSR1005,UN421F
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2SC4361


SI NPN Transistor
ähnlich AA1L3N siehe Anm.
GFX
UCE/UCB 50/50V
IC 0.1A
hFE -
Ptot 300mW
fT 250MHz
TJ -
der 2SC4361 ist ein ähnlicher Silizium NPN Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Schalttransistor, Rb 4.7kOhm, Rbe10kOhm integriert
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Jaeger electronic catalog 1996
Ähnlicher Typ: 2SC4361
OEM:Tokyo Sanyo... [mehr]
Tokyo Sanyo Electric Co. Ltd. Japan
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Komplementär Typ:2SA1654
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AA1L3N,DTC143XS,KSR1005,UN421F
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