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AA1A4Z


SI NPN Transistor
GFX
UCE/UCB 50/60V
IC 0.1A
hFE -
Ptot 250mW
fT -
TJ -
der AA1A4Z ist ein Silizium NPN Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Schalttransistor, Rb 10kOhm integriert
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu AA1A4Z
OEM:Nippon Elect... [mehr]
Nippon Electric Comp. Ltd. NEC, Japan
Gehäuse: TO-92
AA1A4Z Datenblatt (jpg):-
AA1A4Z Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:AN1A4Z
Ähnliche Typen:DTC114TS, [mehr]
DTC114TS,RN1011,UN4215,2SC3860
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AA1A4Z


SI NPN Transistor
GFX
UCE/UCB 50/60V
IC 0.1A
hFE -
Ptot 250mW
fT -
TJ -
der AA1A4Z ist ein Silizium NPN Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Schalttransistor, Rb 10kOhm integriert
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Jaeger electronic catalog 1999
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Nippon Electric Comp. Ltd. NEC, Japan
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DTC114TS,RN1011,UN4215,2SC3860
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AA1A4Z


SI NPN Transistor
GFX
UCE/UCB 50/60V
IC 0.1A
hFE -
Ptot 250mW
fT -
TJ -
der AA1A4Z ist ein Silizium NPN Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Schalttransistor, Rb 10kOhm integriert
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Nippon Electric Comp. Ltd. NEC, Japan
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DTC114TS,RN1011,UN4215,2SC3860
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Anm.:ein ähnlicher Typ ist nicht immer ein Ersatztyp, bitte prüfe die Anforderungen der Schaltung vor dem Einsatz eines ähnlichen Typs als Ersatztyp

RN1011


SI NPN Transistor
ähnlich AA1A4Z siehe Anm.
GFX
UCE/UCB 50/50V
IC 0.1A
hFE -
Ptot 400mW
fT 250MHz
TJ -
der RN1011 ist ein ähnlicher Silizium NPN Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Schalttransistor, Rb 10kOhm integriert
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Jaeger electronic catalog 1999
Ähnlicher Typ: RN1011
OEM:Toshiba Toky... [mehr]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Gehäuse: TO-92
RN1011 Datenblatt (jpg):-
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RN1011


SI NPN Transistor
ähnlich AA1A4Z siehe Anm.
GFX
UCE/UCB 50/50V
IC 0.1A
hFE -
Ptot 400mW
fT 250MHz
TJ -
der RN1011 ist ein ähnlicher Silizium NPN Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Schalttransistor, Rb 10kOhm integriert
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Ähnlicher Typ: RN1011
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Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
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RN1011


SI NPN Transistor
ähnlich AA1A4Z siehe Anm.
GFX
UCE/UCB 50/50V
IC 0.1A
hFE -
Ptot 400mW
fT 250MHz
TJ -
der RN1011 ist ein ähnlicher Silizium NPN Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Schalttransistor, Rb 10kOhm integriert
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Ähnlicher Typ: RN1011
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Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
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RN1011 Datenblatt (jpg):-
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Anm.:ein ähnlicher Typ ist nicht immer ein Ersatztyp, bitte prüfe die Anforderungen der Schaltung vor dem Einsatz eines ähnlichen Typs als Ersatztyp

UN4215


SI NPN Transistor
ähnlich AA1A4Z siehe Anm.
GFX
UCE/UCB 50/50V
IC 0.1A
hFE -
Ptot 300mW
fT 80MHz
TJ -
der UN4215 ist ein ähnlicher Silizium NPN Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Rb 10kOhm integriert
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Jaeger electronic catalog 1999
Ähnlicher Typ: UN4215
OEM:Matsushita D... [mehr]
Matsushita Denshi Kogyo Co., Japan
Gehäuse:-
UN4215 Datenblatt (jpg):-
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UN4215


SI NPN Transistor
ähnlich AA1A4Z siehe Anm.
GFX
UCE/UCB 50/50V
IC 0.1A
hFE -
Ptot 300mW
fT 80MHz
TJ -
der UN4215 ist ein ähnlicher Silizium NPN Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Rb 10kOhm integriert
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Ähnlicher Typ: UN4215
OEM:Matsushita D... [mehr]
Matsushita Denshi Kogyo Co., Japan
Gehäuse:-
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UN4215


SI NPN Transistor
ähnlich AA1A4Z siehe Anm.
GFX
UCE/UCB 50/50V
IC 0.1A
hFE -
Ptot 300mW
fT 80MHz
TJ -
der UN4215 ist ein ähnlicher Silizium NPN Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Rb 10kOhm integriert
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Ähnlicher Typ: UN4215
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Matsushita Denshi Kogyo Co., Japan
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2SC3860


SI NPN Transistor
ähnlich AA1A4Z siehe Anm.
GFX
UCE/UCB 50/50V
IC 0.1A
hFE -
Ptot 300mW
fT 250MHz
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der 2SC3860 ist ein ähnlicher Silizium NPN Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Schalttransistor, Rb 10kOhm integriert
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Ähnlicher Typ: 2SC3860
OEM:Tokyo Sanyo... [mehr]
Tokyo Sanyo Electric Co. Ltd. Japan
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Komplementär Typ:2SA1497
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AA1A4Z,DTC114TS,RN1011,UN4215
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2SC3860


SI NPN Transistor
ähnlich AA1A4Z siehe Anm.
GFX
UCE/UCB 50/50V
IC 0.1A
hFE -
Ptot 300mW
fT 250MHz
TJ -
der 2SC3860 ist ein ähnlicher Silizium NPN Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Schalttransistor, Rb 10kOhm integriert
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Ähnlicher Typ: 2SC3860
OEM:Tokyo Sanyo... [mehr]
Tokyo Sanyo Electric Co. Ltd. Japan
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Komplementär Typ:2SA1497
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AA1A4Z,DTC114TS,RN1011,UN4215
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2SC3860


SI NPN Transistor
ähnlich AA1A4Z siehe Anm.
GFX
UCE/UCB 50/50V
IC 0.1A
hFE -
Ptot 300mW
fT 250MHz
TJ -
der 2SC3860 ist ein ähnlicher Silizium NPN Transistor, Uce = 50V, Ic = 100mA, Anwend: Schalttransistor, Rb 10kOhm integriert
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Jaeger electronic catalog 1999
Ähnlicher Typ: 2SC3860
OEM:Tokyo Sanyo... [mehr]
Tokyo Sanyo Electric Co. Ltd. Japan
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Komplementär Typ:2SA1497
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AA1A4Z,DTC114TS,RN1011,UN4215
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