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| MGY40N60
SI N-IGBT Transistor | | | UCE | 600V | | | UGE | 20V | | IC | 66A | | Ptot | 260W | | TON/TOFF | 221/710nS | | TJ | - | | Photo: | - | | Quelle: | Jaeger electronic catalog...... [mehr] Jaeger electronic catalog 1999 | | | Erweiterte Informationen zu MGY40N60 | | OEM: | Motorola Sem... [mehr] Motorola Semiconductor Products Inc. | | Gehäuse: | TOP-3L | | MGY40N60 Datenblatt (jpg): | - | | MGY40N60 Datenblatt (pdf): | - | | OEM Datenblatt: | - | | Komplementär Typ: | - | | Ähnliche Typen: ↑ | GN6075E, [mehr] GN6075E,GT80J101 | | Suchmaske Vergleichstyp: | - | | | Bauteilsuche: | Suche |
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| MGY40N60
SI N-IGBT Transistor | | | UCE | 600V | | | UGE | 20V | | IC | 66A | | Ptot | 260W | | TON/TOFF | 221/710nS | | TJ | - | | Photo: | - | | Quelle: | Jaeger electronic catalog...... [mehr] Jaeger electronic catalog 1999 | |
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| MGY40N60
SI N-IGBT Transistor | | | UCE | 600V | | | UGE | 20V | | IC | 66A | | Ptot | 260W | | TON/TOFF | 221/710nS | | TJ | - | | Photo: | - | | Quelle: | Jaeger electronic catalog...... [mehr] Jaeger electronic catalog 1999 | | | Erweiterte Informationen zu MGY40N60 | | OEM: | Motorola Sem... [mehr] Motorola Semiconductor Products Inc. | | Gehäuse: | TOP-3L | | MGY40N60 Datenblatt (jpg): | - | | MGY40N60 Datenblatt (pdf): | - | | OEM Datenblatt: | - | | Komplementär Typ: | - | | Ähnliche Typen: ↑ | GN6075E, [mehr] GN6075E,GT80J101 | | Suchmaske Vergleichstyp: | - | | | Bauteilsuche: | Suche |
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Anm.:ein ähnlicher Typ ist nicht immer ein Ersatztyp, bitte prüfe die Anforderungen der Schaltung vor dem Einsatz eines ähnlichen Typs als Ersatztyp
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| GN6075E
SI N-IGBT Transistor
similar to MGY40N60, see note | | | UCE | 600V | | | UGE | 20V | | IC | 75A | | Ptot | 250W | | TON/TOFF | 1/1.2µS | | TJ | - | | Photo: | - | | Quelle: | Jaeger electronic catalog...... [mehr] Jaeger electronic catalog 1999 | | | Ähnlicher Typ: GN6075E | | OEM: | Hitachi Ltd.... [mehr] Hitachi Ltd. Japan | | Gehäuse: | TOP-3L | | GN6075E Datenblatt (jpg): | - | | GN6075E Datenblatt (pdf): | - | | OEM Datenblatt: | - | | Komplementär Typ: | - | | Ähnliche Typen: ↑ | GT80J101 | | Suchmaske Vergleichstyp: | - | | | Bauteilsuche: | Suche |
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| GN6075E
SI N-IGBT Transistor
similar to MGY40N60, see note | | | UCE | 600V | | | UGE | 20V | | IC | 75A | | Ptot | 250W | | TON/TOFF | 1/1.2µS | | TJ | - | | Photo: | - | | Quelle: | Jaeger electronic catalog...... [mehr] Jaeger electronic catalog 1999 | | | | Ähnlicher Typ: GN6075E | | OEM: | Hitachi Ltd.... [mehr] Hitachi Ltd. Japan | | Gehäuse: | TOP-3L | | GN6075E Datenblatt (jpg): | - | | GN6075E Datenblatt (pdf): | - | | OEM Datenblatt: | - | | Komplementär Typ: | - | | Ähnliche Typen: ↑ | GT80J101 | | Suchmaske Vergleichstyp: | - | | | Bauteilsuche: | Suche |
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| GN6075E
SI N-IGBT Transistor
similar to MGY40N60, see note | | | UCE | 600V | | | UGE | 20V | | IC | 75A | | Ptot | 250W | | TON/TOFF | 1/1.2µS | | TJ | - | | Photo: | - | | Quelle: | Jaeger electronic catalog...... [mehr] Jaeger electronic catalog 1999 | | | Ähnlicher Typ: GN6075E | | OEM: | Hitachi Ltd.... [mehr] Hitachi Ltd. Japan | | Gehäuse: | TOP-3L | | GN6075E Datenblatt (jpg): | - | | GN6075E Datenblatt (pdf): | - | | OEM Datenblatt: | - | | Komplementär Typ: | - | | Ähnliche Typen: ↑ | GT80J101 | | Suchmaske Vergleichstyp: | - | | | Bauteilsuche: | Suche |
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Anm.:ein ähnlicher Typ ist nicht immer ein Ersatztyp, bitte prüfe die Anforderungen der Schaltung vor dem Einsatz eines ähnlichen Typs als Ersatztyp
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| GT80J101
SI N-IGBT Transistor
similar to MGY40N60, see note | | | UCE | 600V | | | UGE | ±20V | | IC DC/AC | 80/160A | | Ptot | 200W | | TON/TOFF | 500/700nS | | TJ | 150°C | | Photo: | - | | Quelle: | Toshiba IGBT Databook 199...... [mehr] Toshiba IGBT Databook 1995/96 | | | Ähnlicher Typ: GT80J101 | | OEM: | Toshiba Toky... [mehr] Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan | | Gehäuse: | 2-21F1C | | GT80J101 Datenblatt (jpg): | verfügbar | | GT80J101 Datenblatt (pdf): | verfügbar | | OEM Datenblatt: | - | | Komplementär Typ: | - | | Ähnliche Typen: ↑ | - | | Suchmaske Vergleichstyp: | - | | | Bauteilsuche: | Suche |
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| GT80J101
SI N-IGBT Transistor
similar to MGY40N60, see note | | | UCE | 600V | | | UGE | ±20V | | IC DC/AC | 80/160A | | Ptot | 200W | | TON/TOFF | 500/700nS | | TJ | 150°C | | Photo: | - | | Quelle: | Toshiba IGBT Databook 199...... [mehr] Toshiba IGBT Databook 1995/96 | | | | Ähnlicher Typ: GT80J101 | | OEM: | Toshiba Toky... [mehr] Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan | | Gehäuse: | 2-21F1C | | GT80J101 Datenblatt (jpg): | verfügbar | | GT80J101 Datenblatt (pdf): | verfügbar | | OEM Datenblatt: | - | | Komplementär Typ: | - | | Ähnliche Typen: ↑ | - | | Suchmaske Vergleichstyp: | - | | | Bauteilsuche: | Suche |
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| GT80J101
SI N-IGBT Transistor
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Anm.:ein ähnlicher Typ ist nicht immer ein Ersatztyp, bitte prüfe die Anforderungen der Schaltung vor dem Einsatz eines ähnlichen Typs als Ersatztyp
