Lookbooks
R
X
G
Seite:

IHW30N160R2


SI N-IGBT Transistor
GFX
UCE 1600V
UGE ±20V
IC DC/AC 30/90A
Ptot 312W
Time 525nS
TJ 175°C
der IHW30N160R2 ist ein Silizium N-IGBT Transistor, Uce = 1.6kV, Ic = 30A, Anwend: Leistungsstufen
marking code: H30R1602
Photo: verfügbar
Bestellen:
IHW30N160R2 2,75€ / 1
Erweiterte Informationen zu IHW30N160R2
OEM:Infineon tec... [mehr]
Infineon technologies
Gehäuse: TO-247
Datenblatt (jpg):-
Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:-
Bauteilsuche:Suche

IHW30N160R2


SI N-IGBT Transistor
GFX
UCE 1600V
UGE ±20V
IC DC/AC 30/90A
Ptot 312W
Time 525nS
TJ 175°C
der IHW30N160R2 ist ein Silizium N-IGBT Transistor, Uce = 1.6kV, Ic = 30A, Anwend: Leistungsstufen
marking code: H30R1602
Photo: verfügbar
Bestellen:
IHW30N160R2 2,75€ / 1
Erweiterte Informationen zu IHW30N160R2
OEM:Infineon tec... [mehr]
Infineon technologies
Gehäuse: TO-247
Datenblatt (jpg):-
Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:-
Bauteilsuche:Suche

IHW30N160R2


SI N-IGBT Transistor
GFX
UCE 1600V
UGE ±20V
IC DC/AC 30/90A
Ptot 312W
Time 525nS
TJ 175°C
der IHW30N160R2 ist ein Silizium N-IGBT Transistor, Uce = 1.6kV, Ic = 30A, Anwend: Leistungsstufen
marking code: H30R1602
Photo: verfügbar
Bestellen:
IHW30N160R2 2,75€ / 1
Erweiterte Informationen zu IHW30N160R2
OEM:Infineon tec... [mehr]
Infineon technologies
Gehäuse: TO-247
Datenblatt (jpg):-
Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:-
Bauteilsuche:Suche