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IGTH10N50AD


SI N-IGBT Transistor
GFX
UCE 500V
UGE 20V
IC 10A
Ptot 75W
TON/TOFF 0.1/1.4µS
TJ -
der IGTH10N50AD ist ein Silizium N-IGBT Transistor, Uce = 500V, Ic = 10A, Anwend: energy loss = 400uJ, Leistungsstufen, integrierte Diode
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu IGTH10N50AD
OEM:General Elec... [mehr]
General Electric Co. GEC
Gehäuse: TO-3P
Datenblatt (jpg):-
Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:-
Bauteilsuche:Suche

IGTH10N50AD


SI N-IGBT Transistor
GFX
UCE 500V
UGE 20V
IC 10A
Ptot 75W
TON/TOFF 0.1/1.4µS
TJ -
der IGTH10N50AD ist ein Silizium N-IGBT Transistor, Uce = 500V, Ic = 10A, Anwend: energy loss = 400uJ, Leistungsstufen, integrierte Diode
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Jaeger electronic catalog 1999
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General Electric Co. GEC
Gehäuse: TO-3P
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-
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Bauteilsuche:Suche

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GFX
UCE 500V
UGE 20V
IC 10A
Ptot 75W
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