| GT8N101
SI N-IGBT Transistor | | | UCE | 1000V | | | UGE | 20V | | IC | 8A | | Ptot | 100W | | TON/TOFF | 200/600nS | | TJ | - | | Photo: | - | | Quelle: | Jaeger electronic catalog...... [mehr] Jaeger electronic catalog 1999 | | | Erweiterte Informationen zu GT8N101 | | OEM: | Toshiba Toky... [mehr] Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan | | Gehäuse: | TO-3P | | GT8N101 Datenblatt (jpg): | - | | GT8N101 Datenblatt (pdf): | - | | OEM Datenblatt: | - | Komplementär Typ:
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