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GT50J101


SI N-IGBT Transistor
GFX
UCE 600V
UGE ±20V
IC DC/AC 50/100A
Ptot 200W
TON/TOFF 400/500nS
TJ 150°C
der GT50J101 ist ein Silizium N-IGBT Transistor, Uce = 600V, Ic = 50A, Anwend: Leistungs- Schalttransistor
Photo: -
Quelle: Toshiba IGBT Databook 199...... [mehr]
Toshiba IGBT Databook 1995/96
Erweiterte Informationen zu GT50J101
OEM:Toshiba Toky... [mehr]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Gehäuse:2-21F1C
GT50J101 Datenblatt (jpg):verfügbar
GT50J101 Datenblatt (pdf):verfügbar
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:-
Ähnliche Typen:GN6050E
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GT50J101


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UCE 600V
UGE ±20V
IC DC/AC 50/100A
Ptot 200W
TON/TOFF 400/500nS
TJ 150°C
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Anm.:ein ähnlicher Typ ist nicht immer ein Ersatztyp, bitte prüfe die Anforderungen der Schaltung vor dem Einsatz eines ähnlichen Typs als Ersatztyp

GN6050E


SI N-IGBT Transistor
similar to GT50J101, see note
GFX
UCE 600V
UGE 20V
IC 50A
Ptot 200W
TON/TOFF 1/1.2µS
TJ -
der GN6050E ist ein ähnlicher Silizium N-IGBT Transistor, Uce = 600V, Ic = 50A, Anwend: Leistungsstufen
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Ähnlicher Typ: GN6050E
OEM:Hitachi Ltd.... [mehr]
Hitachi Ltd. Japan
Gehäuse:TOP-3L
GN6050E Datenblatt (jpg):-
GN6050E Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
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GT50J101,GT50J102
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