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GN12030E


SI N-IGBT Transistor
GFX
UCE 1200V
UGE 20V
IC 30A
Ptot 200W
fT -
TJ -
der GN12030E ist ein Silizium N-IGBT Transistor, Uce = 1.2kV, Ic = 30A, Anwend: Leistungsstufen
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu GN12030E
OEM:Hitachi Ltd.... [mehr]
Hitachi Ltd. Japan
Gehäuse:TOP-3L
GN12030E Datenblatt (jpg):-
GN12030E Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:-
Ähnliche Typen:GT40T101, [mehr]
GT40T101,MGY25N120
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GN12030E


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GFX
UCE 1200V
UGE 20V
IC 30A
Ptot 200W
fT -
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der GN12030E ist ein Silizium N-IGBT Transistor, Uce = 1.2kV, Ic = 30A, Anwend: Leistungsstufen
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GFX
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UGE 20V
IC 30A
Ptot 200W
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GT40T101,MGY25N120
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GT40T101


SI N-IGBT Transistor
similar to GN12030E, see note
GFX
UCE 1500V
UGE ±25V
IC DC/AC 40/80A
Ptot 200W
TON/TOFF 700/500nS
TJ 150°C
der GT40T101 ist ein ähnlicher Silizium N-IGBT Transistor, Uce = 1.5kV, Ic = 40A, Anwend: Leistungs- Schalttransistor
Photo: -
Quelle: Toshiba IGBT Databook 199...... [mehr]
Toshiba IGBT Databook 1995/96
Ähnlicher Typ: GT40T101
OEM:Toshiba Toky... [mehr]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Gehäuse:2-21F2C
GT40T101 Datenblatt (jpg):verfügbar
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GT40T101


SI N-IGBT Transistor
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GFX
UCE 1500V
UGE ±25V
IC DC/AC 40/80A
Ptot 200W
TON/TOFF 700/500nS
TJ 150°C
der GT40T101 ist ein ähnlicher Silizium N-IGBT Transistor, Uce = 1.5kV, Ic = 40A, Anwend: Leistungs- Schalttransistor
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UGE ±25V
IC DC/AC 40/80A
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TJ 150°C
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MGY25N120


SI N-IGBT Transistor
similar to GN12030E, see note
GFX
UCE 1200V
UGE 20V
IC 38A
Ptot 212W
TON/TOFF 215/506nS
TJ -
der MGY25N120 ist ein ähnlicher Silizium N-IGBT Transistor, Uce = 1.2kV, Ic = 38A, Anwend: Leistungstransistor (Universaltyp)
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Jaeger electronic catalog 1999
Ähnlicher Typ: MGY25N120
OEM:Motorola Sem... [mehr]
Motorola Semiconductor Products Inc.
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MGY25N120


SI N-IGBT Transistor
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GFX
UCE 1200V
UGE 20V
IC 38A
Ptot 212W
TON/TOFF 215/506nS
TJ -
der MGY25N120 ist ein ähnlicher Silizium N-IGBT Transistor, Uce = 1.2kV, Ic = 38A, Anwend: Leistungstransistor (Universaltyp)
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SI N-IGBT Transistor
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UCE 1200V
UGE 20V
IC 38A
Ptot 212W
TON/TOFF 215/506nS
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der MGY25N120 ist ein ähnlicher Silizium N-IGBT Transistor, Uce = 1.2kV, Ic = 38A, Anwend: Leistungstransistor (Universaltyp)
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