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K6T1008C2E-DB70
Package
DIP-32
GFX
RAM circuit
der K6T1008C2E-DB70 ist ein integrierter Schaltkreis, Anwendung: 128kx8 statisches RAM mit niedriger Leistungsaufnahme
Photo:
available
Bestellen:
K6T1008C2E-DB70 5,95€ / 1
Erweiterte Informationen zu K6T1008C2E-DB70
OEM:
Samsung Elec...
[mehr]
Samsung Electronics CO. LTD.
Gehäuse:
DIP-32
Datenblatt (jpg):
-
Datenblatt (pdf):
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OEM Datenblatt:
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Komplementär Typ:
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Ähnliche Typen:
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K6T1008C2E-DB70
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