R
X
G
Seite:

ZA250/6


SI Z- Diode
UZ 5.3-6.7V
IZ 3mA
rdiff 110Ω
Tol. -
Ptot 0.25W
TJ 150°C
die ZA250/6 ist eine Silizium Z- Diode, Uz = 5.3-6.7V, N = 250mW, Anwend: Stabilisierung
Photo: -
Quelle: RFT Halbleiter Bauelement...... [mehr]
RFT Halbleiter Bauelemente 1963
Erweiterte Informationen zu ZA250/6
OEM:RFT electron... [mehr]
RFT electronic, VEB Bauelemente
Gehäuse:-
ZA250/6 Datenblatt (jpg):-
ZA250/6 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

ZA250/6


SI Z- Diode
UZ 5.3-6.7V
IZ 3mA
rdiff 110Ω
Tol. -
Ptot 0.25W
TJ 150°C
die ZA250/6 ist eine Silizium Z- Diode, Uz = 5.3-6.7V, N = 250mW, Anwend: Stabilisierung
Photo: -
Quelle: RFT Halbleiter Bauelement...... [mehr]
RFT Halbleiter Bauelemente 1963
Erweiterte Informationen zu ZA250/6
OEM:RFT electron... [mehr]
RFT electronic, VEB Bauelemente
Gehäuse:-
ZA250/6 Datenblatt (jpg):-
ZA250/6 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

ZA250/6


SI Z- Diode
UZ 5.3-6.7V
IZ 3mA
rdiff 110Ω
Tol. -
Ptot 0.25W
TJ 150°C
die ZA250/6 ist eine Silizium Z- Diode, Uz = 5.3-6.7V, N = 250mW, Anwend: Stabilisierung
Photo: -
Quelle: RFT Halbleiter Bauelement...... [mehr]
RFT Halbleiter Bauelemente 1963
Erweiterte Informationen zu ZA250/6
OEM:RFT electron... [mehr]
RFT electronic, VEB Bauelemente
Gehäuse:-
ZA250/6 Datenblatt (jpg):-
ZA250/6 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche