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BZD10C3V9


SI Z- Diode
GFX
UZ 3.9V
IZ 210mA
rdif <7Ω
Tol. -
Ptot 1.3W
TJ 175°C
die BZD10C3V9 ist eine Silizium Z- Diode, Uz = 3.9V, N = 1.3W, Anwend: Einsatz im mittleren Leistungsbereich
Photo: -
Quelle: SH Datenbuch 1980/81 Diod...... [mehr]
SH Datenbuch 1980/81 Dioden
Erweiterte Informationen zu BZD10C3V9
OEM:Siemens AG
Gehäuse: DO-13
BZD10C3V9 Datenblatt (jpg):verfügbar
BZD10C3V9 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

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