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01BZA8.2


SI Z- Diode
GFX
UZ 8.2V
IZ 5mA
rdiff 15Ω
Ptot 0.1W
TJ 125°C
- -
die 01BZA8.2 ist eine Silizium Z- Diode, Uz = 8.2V, N = 100mW, Anwend: Z- Diode, Überspannungsschutz, 2- fach Diode
marking code: 8.2
Photo: -
Quelle: datasheet
Erweiterte Informationen zu 01BZA8
OEM:Toshiba Toky... [mehr]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Gehäuse:-
01BZA8.2 Datenblatt (jpg):-
01BZA8.2 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:-
Bauteilsuche:Suche

01BZA8.2


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GFX
UZ 8.2V
IZ 5mA
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Ptot 0.1W
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die 01BZA8.2 ist eine Silizium Z- Diode, Uz = 8.2V, N = 100mW, Anwend: Z- Diode, Überspannungsschutz, 2- fach Diode
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-
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GFX
UZ 8.2V
IZ 5mA
rdiff 15Ω
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die 01BZA8.2 ist eine Silizium Z- Diode, Uz = 8.2V, N = 100mW, Anwend: Z- Diode, Überspannungsschutz, 2- fach Diode
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-
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