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MA700A


SI Schottky Diode
GFX
UR 30V
IF 30mA
- -
trr 1nS
- -
- -
die MA700A ist eine Silizium Schottky- Diode, U = 30V, I = 30mA, Anwend: schnelle Schaltstufen
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu MA700A
OEM:Matsushita D... [mehr]
Matsushita Denshi Kogyo Co., Japan
Gehäuse: DO-34
MA700A Datenblatt (jpg):-
MA700A Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:-
Ähnliche Typen:BAT81, [mehr]
BAT81,HSS101,1S1992,1SS108
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MA700A


SI Schottky Diode
GFX
UR 30V
IF 30mA
- -
trr 1nS
- -
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die MA700A ist eine Silizium Schottky- Diode, U = 30V, I = 30mA, Anwend: schnelle Schaltstufen
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Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu MA700A
OEM:Matsushita D... [mehr]
Matsushita Denshi Kogyo Co., Japan
Gehäuse: DO-34
MA700A Datenblatt (jpg):-
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BAT81,HSS101,1S1992,1SS108
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MA700A


SI Schottky Diode
GFX
UR 30V
IF 30mA
- -
trr 1nS
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die MA700A ist eine Silizium Schottky- Diode, U = 30V, I = 30mA, Anwend: schnelle Schaltstufen
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Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu MA700A
OEM:Matsushita D... [mehr]
Matsushita Denshi Kogyo Co., Japan
Gehäuse: DO-34
MA700A Datenblatt (jpg):-
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Ähnliche Typen:BAT81, [mehr]
BAT81,HSS101,1S1992,1SS108
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Anm.:ein ähnlicher Typ ist nicht immer ein Ersatztyp, bitte prüfe die Anforderungen der Schaltung vor dem Einsatz eines ähnlichen Typs als Ersatztyp

BAT81


SI Schottky Diode
similar to MA700A, see note
GFX
UR 40V
IF 30mA
- -
- -
UF / IF <0.41V/1mA
TJ 200°C
die BAT81 ist eine Silizium Schottky- Diode, U = 40V, I = 30mA, Anwend: Universaltyp, niedrige Schwellspannung, niedrigem Leckstrom sowie kleiner Kapazität für ua. sehr schnelle Schaltstufen
Photo: -
Quelle: PSC Diodes SC01 1992,Va H...... [mehr]
PSC Diodes SC01 1992,Va Halbleiterdioden 1987
Ähnlicher Typ: BAT81
OEM:Valvo GmbH
Gehäuse: DO-34
BAT81 Datenblatt (jpg):-
BAT81 Datenblatt (pdf):-
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BAT81


SI Schottky Diode
similar to MA700A, see note
GFX
UR 40V
IF 30mA
- -
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UF / IF <0.41V/1mA
TJ 200°C
die BAT81 ist eine Silizium Schottky- Diode, U = 40V, I = 30mA, Anwend: Universaltyp, niedrige Schwellspannung, niedrigem Leckstrom sowie kleiner Kapazität für ua. sehr schnelle Schaltstufen
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PSC Diodes SC01 1992,Va Halbleiterdioden 1987
Ähnlicher Typ: BAT81
OEM:Valvo GmbH
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BAT81


SI Schottky Diode
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GFX
UR 40V
IF 30mA
- -
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UF / IF <0.41V/1mA
TJ 200°C
die BAT81 ist eine Silizium Schottky- Diode, U = 40V, I = 30mA, Anwend: Universaltyp, niedrige Schwellspannung, niedrigem Leckstrom sowie kleiner Kapazität für ua. sehr schnelle Schaltstufen
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Quelle: PSC Diodes SC01 1992,Va H...... [mehr]
PSC Diodes SC01 1992,Va Halbleiterdioden 1987
Ähnlicher Typ: BAT81
OEM:Valvo GmbH
Gehäuse: DO-34
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1S1992


SI Schottky Diode
similar to MA700A, see note
GFX
UR 30V
IF 20mA
- -
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die 1S1992 ist eine Silizium Schottky- Diode, U = 30V, I = 20mA, Anwend: schnelle Schaltstufen
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Jaeger electronic catalog 1999
Ähnlicher Typ: 1S1992
OEM:Nippon Elect... [mehr]
Nippon Electric Comp. Ltd. NEC, Japan
Gehäuse: DO-7
1S1992 Datenblatt (jpg):-
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1S1992


SI Schottky Diode
similar to MA700A, see note
GFX
UR 30V
IF 20mA
- -
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die 1S1992 ist eine Silizium Schottky- Diode, U = 30V, I = 20mA, Anwend: schnelle Schaltstufen
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Jaeger electronic catalog 1999
Ähnlicher Typ: 1S1992
OEM:Nippon Elect... [mehr]
Nippon Electric Comp. Ltd. NEC, Japan
Gehäuse: DO-7
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1S1992


SI Schottky Diode
similar to MA700A, see note
GFX
UR 30V
IF 20mA
- -
- -
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die 1S1992 ist eine Silizium Schottky- Diode, U = 30V, I = 20mA, Anwend: schnelle Schaltstufen
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Jaeger electronic catalog 1999
Ähnlicher Typ: 1S1992
OEM:Nippon Elect... [mehr]
Nippon Electric Comp. Ltd. NEC, Japan
Gehäuse: DO-7
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Anm.:ein ähnlicher Typ ist nicht immer ein Ersatztyp, bitte prüfe die Anforderungen der Schaltung vor dem Einsatz eines ähnlichen Typs als Ersatztyp

1SS108


SI Schottky Diode
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GFX
UR 35V
IF 15mA
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- -
die 1SS108 ist eine Silizium Schottky- Diode, U = 35V, I = 15mA
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Jaeger electronic catalog 1999
Ähnlicher Typ: 1SS108
OEM:Hitachi Ltd.... [mehr]
Hitachi Ltd. Japan
Gehäuse: DO-35
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Ähnliche Typen:HSS100, [mehr]
HSS100,..,HSS102,1SS1992
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1SS108


SI Schottky Diode
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GFX
UR 35V
IF 15mA
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die 1SS108 ist eine Silizium Schottky- Diode, U = 35V, I = 15mA
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Jaeger electronic catalog 1999
Ähnlicher Typ: 1SS108
OEM:Hitachi Ltd.... [mehr]
Hitachi Ltd. Japan
Gehäuse: DO-35
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HSS100,..,HSS102,1SS1992
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1SS108


SI Schottky Diode
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GFX
UR 35V
IF 15mA
- -
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die 1SS108 ist eine Silizium Schottky- Diode, U = 35V, I = 15mA
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Jaeger electronic catalog 1999
Ähnlicher Typ: 1SS108
OEM:Hitachi Ltd.... [mehr]
Hitachi Ltd. Japan
Gehäuse: DO-35
1SS108 Datenblatt (jpg):-
1SS108 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
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HSS100,..,HSS102,1SS1992
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