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BYV10-60


SI Schottky Diode
GFX
UR 60V
IF 1A
- -
- -
- -
TJ 125°C
die BYV10-60 ist eine Silizium Schottky- Diode, U = 60V, I = 1A, Anwend: Schaltnetzteile für kleine Spannungen, Verpolungsschutz sowie Einsatz im HF- Bereich
Photo: -
Quelle: datasheet
Erweiterte Informationen zu BYV10-60
OEM:SGS Thomson... [mehr]
SGS Thomson Microelectronics
Gehäuse: DO-41
BYV10-60 Datenblatt (jpg):-
BYV10-60 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

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