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BAT17


SI Schottky Diode
GFX
UR 4V
IF 30mA
- -
- -
UF / IF <0.6V/10mA
TJ 100°C
die BAT17 ist eine Silizium Schottky- Diode, U = 4V, I = 30mA, Anwend: Dünn- und Dickfilmschaltungen, Mischer- Diode, UHF- Bereich, schnelle Schaltstufen
marking code: A3 , A3p
Photo: -
Quelle: PSC Diodes SC01 1992
Erweiterte Informationen zu BAT17
OEM:Philips Semi... [mehr]
Philips Semiconductors
Gehäuse: SOT-23
BAT17 Datenblatt (jpg):-
BAT17 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
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GFX
UR 4V
IF 30mA
- -
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UF / IF <0.6V/10mA
TJ 100°C
die BAT17 ist eine Silizium Schottky- Diode, U = 4V, I = 30mA, Anwend: Dünn- und Dickfilmschaltungen, Mischer- Diode, UHF- Bereich, schnelle Schaltstufen
marking code: A3 , A3p
Photo: -
Quelle: PSC Diodes SC01 1992
Erweiterte Informationen zu BAT17
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Philips Semiconductors
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Quelle: PSC Diodes SC01 1992
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SI Schottky Diode
GFX
UR 4V
IF 30mA
- -
- -
- -
TJ 150°C
die BAT17 ist eine Silizium Schottky- Diode, U = 4V, I = 30mA, Anwend: Dünn- und Dickfilmschaltungen, Mischer- Diode, UHF- Bereich, schnelle Schaltstufen
marking code: 53
Photo: -
Quelle: SH Datenbuch 1985/86 Disc...... [mehr]
SH Datenbuch 1985/86 Discrete Halbleiter für Oberflächenmontage
Erweiterte Informationen zu BAT17
OEM:Siemens AG
Gehäuse: SOT-23
BAT17 Datenblatt (jpg):verfügbar
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SH Datenbuch 1985/86 Discrete Halbleiter für Oberflächenmontage
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