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BAS86


SI Schottky Diode
GFX
UR 50V
IF 200mA
- -
trr 4nS
UF / IF <0.45V/10mA
TJ 125°C
die BAS86 ist eine Silizium Schottky- Diode, U = 50V, I = 200mA, Anwend: integrierter ESD - Entladeschutz for sehr hohe statische Entladungen, siehe BAS85
Photo: -
Quelle: PSC Diodes SC01 1992
Erweiterte Informationen zu BAS86
OEM:Philips Semi... [mehr]
Philips Semiconductors
Gehäuse: SOD80C
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SI Schottky Diode
GFX
UR 30V
IF -
Ptot 0.2W
- -
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die BAS85 ist eine Silizium Schottky- Diode, U = 30V
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die BAS85 ist eine Silizium Schottky- Diode, U = 30V, I = 200mA, Anwend: integrierter ESD - Entladeschutz, bevorzugt für Stufen wo eine niedrige Schwellspannung erforderlich ist
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