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1SS70


SI Schottky Diode
GFX
UR 4V
IF 30mA
- -
F 9.375GHz
- -
- -
die 1SS70 ist eine Silizium Schottky- Diode, U = 4V, I = 30mA, Anwend: Mischer- Diode, UHF- Bereich
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu 1SS70
OEM:Nippon Elect... [mehr]
Nippon Electric Comp. Ltd. NEC, Japan
Gehäuse: DO-22
1SS70 Datenblatt (jpg):-
1SS70 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

1SS70


SI Schottky Diode
GFX
UR 4V
IF 30mA
- -
F 9.375GHz
- -
- -
die 1SS70 ist eine Silizium Schottky- Diode, U = 4V, I = 30mA, Anwend: Mischer- Diode, UHF- Bereich
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Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu 1SS70
OEM:Nippon Elect... [mehr]
Nippon Electric Comp. Ltd. NEC, Japan
Gehäuse: DO-22
1SS70 Datenblatt (jpg):-
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-
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1SS70


SI Schottky Diode
GFX
UR 4V
IF 30mA
- -
F 9.375GHz
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