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1N5817


SI Schottky Diode
GFX
UR 20V
IF 1A
- -
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TJ 125°C
die 1N5817 ist eine Silizium Schottky- Diode, U = 20V, I = 1A
Photo: -
Quelle: General Semiconductor Po...... [mehr]
General Semiconductor Power Rectifiers and Transient Voltage Suppressors 1998
Erweiterte Informationen zu 1N5817
OEM:General Semi... [mehr]
General Semiconductor Industries, Inc. USA
Gehäuse: DO-204AL
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GFX
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General Semiconductor Power Rectifiers and Transient Voltage Suppressors 1998
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General Semiconductor Industries, Inc. USA
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UR 20V
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- -
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TJ 150°C
die 1N5817 ist eine Silizium Schottky- Diode, U = 20V, I = 1A, Anwend: Niederspannungsdiode, Einsatz im Bereich hochfrequente Inverter, Freilaufdiode, Verpolungsschutz und Kleinladegeräte
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OEM:SGS Thomson... [mehr]
SGS Thomson Microelectronics
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UR 20V
IF 1A
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TJ 175°C
die 1N5817 ist eine Silizium Schottky- Diode, U = 20V, I = 1A, Anwend: Schaltnetzteile kleiner Leistung, Gleichrichter
Photo: -
Quelle: Philips Power Diodes 1999
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Philips Semiconductors
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UR 20V
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Quelle: Philips Power Diodes 1999
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IF 1A
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UF / IF <0.45V/1A
TJ 175°C
die 1N5817 ist eine Silizium Schottky- Diode, U = 20V, I = 1A, Anwend: Schaltnetzteile kleiner Leistung, Gleichrichter
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Quelle: Philips Power Diodes 1999
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Gehäuse: SOD81
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