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FES8JT


SI Diode
GFX
UR 600V
IF 8A
- -
trr 50nS
UF / IF <1.5V/8A
TJ 150°C
die FES8JT ist eine Silizium Diode, U = 600V, I = 8A, Anwend: schneller Gleichrichter
Photo: -
Quelle: General Semiconductor Po...... [mehr]
General Semiconductor Power Rectifiers and Transient Voltage Suppressors 1998
Erweiterte Informationen zu FES8JT
OEM:General Semi... [mehr]
General Semiconductor Industries, Inc. USA
Gehäuse: TO-220AC
FES8JT Datenblatt (jpg):verfügbar
FES8JT Datenblatt (pdf):verfügbar
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

FES8JT


SI Diode
GFX
UR 600V
IF 8A
- -
trr 50nS
UF / IF <1.5V/8A
TJ 150°C
die FES8JT ist eine Silizium Diode, U = 600V, I = 8A, Anwend: schneller Gleichrichter
Photo: -
Quelle: General Semiconductor Po...... [mehr]
General Semiconductor Power Rectifiers and Transient Voltage Suppressors 1998
Erweiterte Informationen zu FES8JT
OEM:General Semi... [mehr]
General Semiconductor Industries, Inc. USA
Gehäuse: TO-220AC
FES8JT Datenblatt (jpg):verfügbar
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OEM Datenblatt:-
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-
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-
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Bauteilsuche:Suche

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SI Diode
GFX
UR 600V
IF 8A
- -
trr 50nS
UF / IF <1.5V/8A
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OEM:General Semi... [mehr]
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-
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-
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