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FEPB6DT
SI Diode
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UR
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200V
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IF
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6A
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- |
-
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trr
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35nS
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UF / IF
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<0.975V/3A
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TJ
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150°C
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Photo:
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- |
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Quelle:
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General Semiconductor Po...... [mehr]
General Semiconductor Power Rectifiers and Transient Voltage Suppressors 1998
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| | Erweiterte Informationen zu FEPB6DT | | OEM: | General Semi... [mehr]
General Semiconductor Industries, Inc. USA | | Gehäuse: |
TO-263AB | | FEPB6DT Datenblatt (jpg): | verfügbar | | FEPB6DT Datenblatt (pdf): | verfügbar | | OEM Datenblatt: | - | Komplementär Typ:
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