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E30C900Si


SI Diode
GFX
UR 30V~
IF 900mA
- -
F 1kHz
- -
TJ 150°C
die E30C900Si ist eine Silizium Diode, U = 30V, I = 900mA, Anwend: Leistungs- Kleingleichrichter für den unteren Frequenzbereich
Photo: -
Quelle: SH Gleichrichter 04/69
Erweiterte Informationen zu E30C900Si
OEM:Siemens AG
Gehäuse: RA5X10X10
E30C900Si Datenblatt (jpg):-
E30C900Si Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

E30C900Si


SI Diode
GFX
UR 30V~
IF 900mA
- -
F 1kHz
- -
TJ 150°C
die E30C900Si ist eine Silizium Diode, U = 30V, I = 900mA, Anwend: Leistungs- Kleingleichrichter für den unteren Frequenzbereich
Photo: -
Quelle: SH Gleichrichter 04/69
Erweiterte Informationen zu E30C900Si
OEM:Siemens AG
Gehäuse: RA5X10X10
E30C900Si Datenblatt (jpg):-
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- -
F 1kHz
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Quelle: SH Gleichrichter 04/69
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OEM:Siemens AG
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-
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-
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