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BYW55


SI Diode
GFX
UR 800V
IF 2A
- -
trr 4µS
- -
TJ 175°C
die BYW55 ist eine Silizium Diode, U = 800V, I = 2A, Anwend: Controlled Avalanche, Leistungsgleichrichter, Daten vergleichbar mit 1N5059
Photo: -
Quelle: Tf Telefunken Dioden 1988
Erweiterte Informationen zu BYW55
OEM:AEG Telefunk... [mehr]
AEG Telefunken / Telefunken electronic
Gehäuse: SOD57
BYW55 Datenblatt (jpg):verfügbar
BYW55 Datenblatt (pdf):verfügbar
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IF 2A
- -
trr 2.5µS
- -
TJ 165°C
die BYW55 ist eine Silizium Diode, U = 800V, I = 2A, Anwend: Controlled Avalanche (kontrolliertes Durchbruchsverhalten)
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Quelle: Va Halbleiterdioden 1987
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Quelle: Philips Power Diodes 1999
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