R
X
G
ll
 Seite:
1 .. 1535 15361536 1537 1538 1539 15401540 1541 .. 1977  
rr

Startseite

mn

SCR's

sc

Dioden

dc

Transistoren

tr

Integr. Schaltungen

ic

SMD Marking Codes

smd

Bauteilparametersuche

L
R

BYW29F-200


SI Diode
GFX
UR 200V
IF 8A
- -
- -
- -
TJ 150°C
die BYW29F-200 ist eine Silizium Diode, U = 200V, I = 8A, Anwend: Inverter mit hoher Schaltfrequenz bei niedrigen Spannungen, Freilaufdiode sowie Verpolungsschutz
Photo: -
Quelle: datasheet
Erweiterte Informationen zu BYW29F-200
OEM:SGS Thomson... [mehr]
SGS Thomson Microelectronics
Gehäuse:Isowatt220AC
BYW29F-200 Datenblatt (jpg):-
BYW29F-200 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

BYW29F-200


SI Diode
GFX
UR 200V
IF 8A
- -
- -
- -
TJ 150°C
die BYW29F-200 ist eine Silizium Diode, U = 200V, I = 8A, Anwend: Inverter mit hoher Schaltfrequenz bei niedrigen Spannungen, Freilaufdiode sowie Verpolungsschutz
Photo: -
Quelle: datasheet
Erweiterte Informationen zu BYW29F-200
OEM:SGS Thomson... [mehr]
SGS Thomson Microelectronics
Gehäuse:Isowatt220AC
BYW29F-200 Datenblatt (jpg):-
BYW29F-200 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

BYW29F-200


SI Diode
GFX
UR 200V
IF 8A
- -
- -
- -
TJ 150°C
die BYW29F-200 ist eine Silizium Diode, U = 200V, I = 8A, Anwend: Inverter mit hoher Schaltfrequenz bei niedrigen Spannungen, Freilaufdiode sowie Verpolungsschutz
Photo: -
Quelle: datasheet
Erweiterte Informationen zu BYW29F-200
OEM:SGS Thomson... [mehr]
SGS Thomson Microelectronics
Gehäuse:Isowatt220AC
BYW29F-200 Datenblatt (jpg):-
BYW29F-200 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

BYW29F-200


SI Diode
GFX
UR 200V
IF 8A
- -
trr 20nS
UF / IF <0.8V/8A
TJ 150°C
die BYW29F-200 ist eine Silizium Diode, U = 200V, I = 8A, Anwend: Gleichrichter, sehr schnelle Diode
Photo: -
Quelle: Philips Power Diodes 1999
Erweiterte Informationen zu BYW29F-200
OEM:Philips Semi... [mehr]
Philips Semiconductors
Gehäuse: SOD100
BYW29F-200 Datenblatt (jpg):verfügbar
BYW29F-200 Datenblatt (pdf):verfügbar
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

BYW29F-200


SI Diode
GFX
UR 200V
IF 8A
- -
trr 20nS
UF / IF <0.8V/8A
TJ 150°C
die BYW29F-200 ist eine Silizium Diode, U = 200V, I = 8A, Anwend: Gleichrichter, sehr schnelle Diode
Photo: -
Quelle: Philips Power Diodes 1999
Erweiterte Informationen zu BYW29F-200
OEM:Philips Semi... [mehr]
Philips Semiconductors
Gehäuse: SOD100
BYW29F-200 Datenblatt (jpg):verfügbar
BYW29F-200 Datenblatt (pdf):verfügbar
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

BYW29F-200


SI Diode
GFX
UR 200V
IF 8A
- -
trr 20nS
UF / IF <0.8V/8A
TJ 150°C
die BYW29F-200 ist eine Silizium Diode, U = 200V, I = 8A, Anwend: Gleichrichter, sehr schnelle Diode
Photo: -
Quelle: Philips Power Diodes 1999
Erweiterte Informationen zu BYW29F-200
OEM:Philips Semi... [mehr]
Philips Semiconductors
Gehäuse: SOD100
BYW29F-200 Datenblatt (jpg):verfügbar
BYW29F-200 Datenblatt (pdf):verfügbar
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche
Impressum
Angaben ohne Gewähr
Datenschutzerklärung