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BYV99


SI Diode
GFX
UR 600V
IF 1A
- -
trr 15nS
UF / IF <1.5V/1A
TJ 150°C
die BYV99 ist eine Silizium Diode, U = 600V, I = 1A, Anwend: schnelle Gleichrichterdiode, Controlled Avalanche (kontrolliertes Durchbruchsverhalten)
Photo: -
Quelle: Philips Power Diodes 1999
Erweiterte Informationen zu BYV99
OEM:Philips Semi... [mehr]
Philips Semiconductors
Gehäuse: SOD57
BYV99 Datenblatt (jpg):verfügbar
BYV99 Datenblatt (pdf):verfügbar
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:
-
Ähnliche Typen:
-
Suchmaske Vergleichstyp:Suche Vergleichstyp
Bauteilsuche:Suche

BYV99


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GFX
UR 600V
IF 1A
- -
trr 15nS
UF / IF <1.5V/1A
TJ 150°C
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Quelle: Philips Power Diodes 1999
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Gehäuse: SOD57
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Komplementär Typ:
-
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-
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IF 1A
- -
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UF / IF <1.5V/1A
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