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BYV79EB-200
SI Diode
GFX
U
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200V
I
F
14A
-
-
t
rr
20nS
U
F
/ I
F
<0.83V/14A
T
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150°C
die BYV79EB-200 ist eine Silizium Diode, U = 200V, I = 14A, Anwend: schneller Gleichrichter für schnelle Schaltstufen, "soft recovery"
Photo:
-
Quelle:
Philips Power Diodes 1999
Erweiterte Informationen zu BYV79EB-200
OEM:
Philips Semi...
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Philips Semiconductors
Gehäuse:
SOT404
Datenblatt (jpg):
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